微电子(第1章).ppt

80年代中期：1.5~3μm工艺 转向设计分析、验证和可制造性 以网表输入、仿真验证、自动布局布线、单元电路库等为特点 1.3.2 版图设计与优化 * 80年代末—90年代初： 1.3.2 版图设计与优化 * 90年代中期：0.35μm的深亚微米CMOS工艺 第四代设计技术即集成系统设计方法 注意：编程和软件的固化 1.3.2 版图设计与优化 * * * 集成电路专用加工线（代工线），如台湾的TSMC、UMC等。 我国目前也有数十条集成电路工艺线，基本上采用平面工艺 1.3.3 集成电路的加工制造 低温化处理 平面化加工 干法 低损伤刻蚀 低缺陷密度的控制 IC工艺技术发展趋势： 设计好的版图 集成电路芯片 加工 * 后道工艺（圆片加工之后的组装工艺），包括： 1.3.4 集成电路的封装 晶片减薄 划片 芯片粘接 键合 封装 * * 1.3.5 测试与分析 中间测试（中测） 成品测试（成测） * * * 第一个CPU：4004 * Pentium III CPU芯片 * * * * * 2、小特征尺寸和大圆片技术不断适应发展需要： 目前200~300mm圆片，特征尺寸：0.13~0.25μm 65M和256M的DRAM——主流产品 1GDRAM和16GDAM——向生产阶段过渡 0.07μm、256GDRAM正在研制 1.1.3 发展特点和技术经济规律 * * 1.1.3 发展特点和技术经济规律 3、半导体产品的高性能化和多样化： 产品高性能其一表现在容量，集成度和速度性能的迅速提高。其二，功能和工作电压性能的明显改善。 * * * 1.1.3 发展特点和技术经济规律 4、多功能化： 多媒体芯片和Soc成为趋势 * 5、化合物和禁带半导体的新发展 GaAs（砷化镓）——军用电子 100mm~150mm 特征尺寸0.1μm 碳化硅、氮化镓、氮化铝——新一代宽禁带半导体 氮化镓——发光二极管 ——第三代半导体新技术 碳化硅——美国专利 1.1.3 发展特点和技术经济规律 * * 第一章 概 论 1.2 集成电路分类 * 1.2.1 按电路功能分类 1、数字集成电路： 数字信号（逻辑电路） * 1.2.1 按电路功能分类 2、模拟集成电路： 对模拟信号进行放大、转换、调制、运算等“线性电路” 3、混和信号电路： “数字”“模拟”信号 * 1、半导体集成电路： 硅半导体电路 化合物半导体集成电路 2、混合集成电路： 薄膜IC 厚膜IC 薄厚膜IC 多芯片组装（MCM）IC 1.2.2 按电路机构分类 * 1、半导体集成电路： 硅半导体电路 化合物半导体集成电路 1.2.2 按电路机构分类 * 2、混合集成电路： 薄膜IC 厚膜IC 薄厚膜IC 多芯片组装（MCM）IC 1.2.2 按电路机构分类 * 厚膜IC：丝网印刷和烧结等厚膜工艺 ﹥1μm 工艺简单、成本低、多品种、小批量 * 薄膜IC：真空蒸发或溅射技术 ﹤1μm 工艺复杂、效率低、成本较高、用于要求较高的整机上 * 多芯片组装（MCM）IC： 高密度多层互联基板，层间由通孔互连。 基板上组装多个IC裸芯片（通常是LSI、VLSI或ASIC芯片及其他片式元件），经过封装后成为一个高密度、多功能的微电子组件。 属于混合大规模集成电路或混合特大规模集成电路。 目前MCM分五类：MCM_L、MCM_C、MCM_D、 MCM_C/D、MCM_L/D 1.2.2 按电路机构分类 * * 1.2.3 按照元器件结构和工艺分类 1、双极型集成电路 双极晶体管作有源器件 载流