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元件及接口类基础资料概要1
元件及接口类基础资料;1.电阻 电路标示:R
作用:调整和稳定电路中的电流和电压(降压、限流)
分类:贴片电阻、插件电阻
单位:Ω KΩ MΩ
2.电容 电路标示:C
作用:滤波、储能,信号的耦合
特性:通交流阻直流、通高频阻低频
分类:贴片电容、插件电容
单位: pF nF uF F
3.电感 电路标示:L
作用:滤波、振荡、储能、通直流阻交流,通低频阻高频
分类:贴片电感、插件电感
单位:1H mH uH
4.磁珠:
a.作用:滤波, 主要抑制信号干扰。
b. 主要参数:磁珠的单位是按照它在某一频率产生
的阻抗来标称的,阻抗的单位是欧姆。
c. 单位:Ω ?
;5.保险丝 电路标示:F
作用:防止因电路负载短路或电流过大烧坏电子元器件起到保护电路作用
规格:0.5A、1A、2A、3A、4A、5A 等
分类:贴片保险丝、插料保险丝
6.二极管 电路标示:D
作用:整流、稳压 特性:单向导电
分类:插件二极管、贴片二极管
导通压降:硅二极管正向管压降0.7V
锗管正向管压降为0.3V
肖特基二极管正向导通压降仅0.4V左右
7.晶振 符号标示:Y
作用:其作用在于产生原始的时钟频率
单位:Hz(赫兹)
常用规格:4MHz、12.000MHz、24.000MHz、24.576MHz、27.000MHz
;8.三极管 符号标示:Q 有三个电极:分别叫基极b、发射极e和集电极c。
作用:放大、开关
分类:
a.贴片三极管、插件三极管
b.NPN 型、PNP 型
9.场效应管 (MOS) 符号标示:Q 属于电压控制型半导体器件
作用:开关、放大
常用型号:(贴片):AO3401A、AO3407
10. LDO(低压差稳电路) 符号标示:U
作用:在电源电压或负载变化时稳定输出电压,抑制纹波电压,消除电源产生的交流噪声,同时还具有负载短路保护,过压关断,过热关断及反接保护等功能。
常用型号:AZ1117-1.8/2.5/3.3、FS8860-1.8/2.5/3.3、AIC1084-1.8/3.3/ADJEI等。
11.DC-DC (电源芯片) 符号标示:U
简介: DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出
固定电压的电压转换器。
优点:效率高、可以输出大电流、静态电流小;12. EEPROM
简介:EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory),电可擦 可编程只读存储器,一种掉电后数据不会丢失的存储芯片。EEPROM 可以在电 脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。
芯片型号: 24C02、24C04、24C08、24C16、24C32、24C64
13 .FLASH
作用:相当于电脑中的硬盘,采用磁性物质记录信息,断电后能保存数据。用做存储芯片运行的程序。
类型:并行通讯、串行通讯。(MX25L3205DM2I、W25X16VSS1G)
14 .SDRAM: 存储临时性信号。
特点:读取信息的速度快,但断电后无法保存信息,SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据(只在时钟的上升期传输数据)。
15. DDR: 是在SDRAM内存基础上发展而来的
特点:DDR内存是在一个时钟周期内传输两次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
16. DDR2:是DDR 内存的第二代产品。
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