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IRFH5206TR2PBF;IRFH5206TRPBF;中文规格书,Datasheet资料
IRFH5206PbF
HEXFET Power MOSFET
VDS 60 V
R
DS(on) max 6.7 m
(@VGS = 10V)
Qg (typical) 40 nC
RG (typical) 1.7
ID
89 A
(@Tc(Bottom) = 25°C) PQFN 5X6 mm
Applications
• Secondary Side Synchronous Rectification
• Inverters for DC Motors
• DC-DC Brick Applications
• Boost Converters
Features and Benefits
Features Benefits
Low RDSon (≤ 7.0mΩ at Vgs=10V) Lower Conduction Losses
Low Thermal Resistance to PCB (≤ 1.2°C/W) Enable better thermal dissipation
100% Rg tested Increased Reliability
Low Profile (≤ 0.9 mm) results in Increased Power Density
Industry-Standard Pinout ⇒ Multi-Vendor Compatibility
Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendl
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