- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
4H_SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性_英文_
第 25 卷第 12 期 半 导 体 学 报 . 25, . 12
V o l N o
2004 年 12 月 . , 2004
CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S D ec
4 -
Hom oep itax ia l Growth an d Character iza t ion of H SiC Ep ilayer s
- -
by L ow Pressure Hot W a ll Chem ica l Vapor D eposit ion
Sun Guo sh en g , Gao X in , Zh an g Yon gx in g , W an g L ei, Zh ao W an shun , Zen g Y ip in g an d L i J inm in
( , ,
N ov el S em icond uctor M a ter ia l L abora tory I ns titu te of S em icond uctors
T he Ch inese A cad emy of S ciences, B eij ing 100083, Ch ina)
: ( )
Abstract H o r izon ta l a ir coo led low p re ssu re ho t w a ll CVD L P HW CVD sy stem is deve lop ed to get h igh ly qu a lit
4 . 4 ( 000 1) 4
ica l H SiC ep ilayer s H om o ep itax ia l grow th o f H SiC on o ff o r ien ted Si face
文档评论(0)