256元集成热释电阵列红外成像信号的读出和检测 - CORE.PDFVIP

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2017-07-03 发布于天津
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256元集成热释电阵列红外成像信号的读出和检测 - CORE

2001 12　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 4 ① 256 1, 2, 3 1, 2 2 3 袁宁一 ,李金华 ,陈王丽华 ,林成鲁 1.信息科学系,功能材料实验室,江苏石油化工学院,常州　213016 2.应用物理系,智能材料研究中心,香理工大学,香九龙 3.国家信息功能材料重点实验室,中科院上海冶金所,上海　200050 : 根据无机纳米陶瓷与聚偏氟乙烯-三氟乙烯复合敏感膜电容元件具有高阻抗的特点,设计了 MO S场效应管为敏感元件作阻抗转换,用串联 MO S管作各元件的通断隔离, 用双 16级移位寄存器作集成热释电阵列 X, Y向的寻址控制,保证了 16× 16面阵红外成像信号的可靠读出.设计了由时钟信号产生、X、Y选通和揿零等功能的 256元集成热释电阵列红外成像信号的检测电路,满足了单元信号手动测试和 256元自动信号测试的要求. : 红外成像阵列;读出电路;微信号检测 : TN219　: A　: 1004-1699( 2001) 04-0380-06 1　　　　. HgCdTe ,,,, ,.,,, 、.、 ., .., /— [ ( - ) ] V DF TrFE [1～ 3] :① — P X,, P /X.② , (V DF- TrFE) ,.③ 、、 160℃ ., IC,, 、.④ (V DF- TrFE) d33, ,,() . - /( [ 4, 5] 70/30) ,( MEK),, ① : 2001-10-31 4　　　　　　　　,: 256　　　　　　　　　　　 381 ,、、、 16× 16. . 2　256 2. 1　 16× 16 1.(x, y) 16 、 16× 16、. , 16、, MOS MO S,, .,、 6μm CMOS, 16× 16 MOS, 5μm., 1 [6] μm, 40 nm Ni-Cr ,. 95% . 图 1　256元集成阵列结构示意 , ,., 5μm .. 2. 2　 10 TΨ,,, MOS, 2. MO S : 1, , MOS. 2. 3 [7] 、MOS . 2. 3　 2,, M OS MO S, 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2001 382 , . 16 16× X Y X 16,, 16 16× 16 Y . , ,, , X Y X Y R L .,, . 图 2　面阵的热敏单元读出电路 3　　　,, [8] [9] [10] ( CCD) 、CMO S BiMOS . CMOS. 、、., ;,;, ,, ,., , MOS, ,., MOS,. 2,, W、 R、 RL、 D