808状犿大功率半导体激光器阵列的优化设计 - 强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２３ １ Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．１ 　 　 年 月 ， ２０１１ １ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｊａｎ． ２０１１ 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１１０１００３５０４ 　 ８０８狀犿大功率半导体激光器阵列的优化设计 ， ， ， ， １２ １ １ １２ １２ １２ 杨 晔 ， 刘 云 ， 秦 莉 ， 王 烨 ， 梁雪梅 ， 李再金 ， 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ， ， １２ １２ １ １ 胡黎明 ， 史晶晶 ， 王 超 ， 王立军 　 　 　 　 （ 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 ； １． １３００３３ ２．中国科学院 研究生院，北京 １０００３９） 摘 要： 采用激射波长为 的 ／ 梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片，制 ８０８ｎｍ ＧａＡｓＡｌＧａＡｓ 　　 　 　 备了沟道深度不同的半导体激光器阵列，并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊 形台面和隔离沟道后，激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道 的加深，对电流侧向扩散的限制作用增强，从而提高了阵列性能。 关键词： 半导体激光器线阵列； 隔离沟道； 腐蚀深度； 电流扩散； 电流分布 　　 　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ ＴＮ２４８．４ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ＨＰＬＰ００３５ 　　 　 　　　　 　 　　　 高功率半导体激光器列阵直接或作为 ： 等固体激光器的泵浦源间接地广泛应用于材料加 ８０８ｎｍ ＮｄＹＡＧ 　　 ［ ］ １５ 工、激光显示、医疗、通信及国防等领域 。随着半导体激光器泵浦固体激光器技术（ ）的迅速发展，作