tsmc台积电工艺库.pdf

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2017-07-02 发布于河南
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tsmc Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., LTD Document No. T-018-MM-SP-001 Rev. 0.4 Page 30 7. RF RESISTOR MODEL The measurement results from the testchip are listed below: (a) Sheet Resistance Table : Film P+ poly w/o silicide N+ poly w/o silicide Parameters Rp(Ohm/square) 311±65 292±66 Rint(Ohm-um) 66.98 14.84 Rgrain(Ohm) 39.39 37.22 For Rp -13.80E-6 -1.102E-3 TC1 For Rint -1.790E-3 -2.278E-3 For Rgrain 2.979E-3 4.235E-3 For Rp 581.1E-9 1.747E-6 TC2 For Rint -7.245E-6 -21.29E-6 For Rgrain -2.295E-6 -6.211E-6 For Rp 78.52E-9 97.71E-9 VC1 For Rint 229.9E-9 371.3E-9 For Rgrain 291.0E-9 368.0E-9 For Rp -488.9E-15 -1.974E-12 VC2 For Rint -1.779E-12 9.537E-12