SiGe OI微环谐振器的滤波特性分析 - 西安理工大学学报.PDFVIP

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SiGe OI微环谐振器的滤波特性分析 - 西安理工大学学报

西安理工大学学报 ’ ( ) JournalofXianUniversitofTechnolo 2016 Vol.32No.4 443   y gy   : / DOI10.19322 .cnki.issn.10064710.2016.04.012    j SiGeOI微环谐振器的滤波特性分析 , , 12 12 冯 松 ,高 勇     ( , ; , ) 1.西安工程大学 理学院 陕西 西安 710048 2.西安理工大学 自动化与信息工程学院 陕西 西安 710048 : 。 摘要 SiGeOI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器 本文根据传输矩阵法得到微环谐振 , 、 , 器的传递函数 研究了上下载滤波器和上 下载端口的性能 分析了SiGeOI微环谐振器的滤波特 , 。 , 性 以及耦合特性对滤波特性的影响 通过模拟软件建立SiGeOI微环谐振器模型 主要对其结构 、 、 , 、 、 参数 耦合系数 3dB带宽和消光比等参数进行了分析 仿真了波导宽度 耦合间距 波长与耦合系 , 。 数的关系 以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响 最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合 , 。 系数下的滤波特性 为SiGeOI微环谐振器的研究提供了理论参考 : ; ; ; 关键词 绝缘层上锗硅 微环谐振器 滤波特性 耦合系数 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) TN252 A 10064710201604044306         犃狀犪犾狊犻狊狅犳狋犺犲犳犻犾狋犲狉犻狀 狉狅犲狉狋狅犳犛犻犌犲犗犐犿犻犮狉狅狉犻狀 狉犲狊狅狀犪狋狅狉 狔 犵狆 狆 狔 犵 , , 12 12 FENGSong ,GAOYong ( , ’ , ’ , ; 1.SchoolofSciences XianPoltechnicUniversit Xian710048 China y y

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