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高质量GaN_Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究
第 12卷第 6期 功能材料与器件学报 Vol112, N o1 6
2006年 12 月 JOURNAL OF FUNCTIONALMATER IALS AND DEVICE S Dec., 2006
: 1007- 4252 2006) 06- 524- 05
GaN /A l O X
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1 1 2
肖祁陵, 张萌 , 王立
1. 南昌大学材料科学与工程学院, 南昌330047;
2. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心, 南昌330047 )
: 通过 常压MOCVD 工艺下制备的GaN /A lO 两种样品的X 射线衍射分析, 利用不同的掠入
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射角及倾斜 X 扫描, 精确测量了GaN 薄膜的晶体结构和位错密度, 据此提出了一种表征薄膜纵向
位错密度的新方法。结果表明实验制备的 GaN 薄膜具有相当一致的 c轴取向, 称衍射 002)面
X 扫描半峰宽分别为 229. 8arcsec、225. 7 arcsec; 同时, 根据倾斜 称 X 扫描半峰宽分析认为样品
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A、B 的位错密度分别约为 4. 080 1@10 / cm , 5. 8724 @10 / cm , 其样品A 的位错密度小于样品B,
但 PL谱给出样品A 的发光效率低于样品B; 而根据不同的掠入射 X 扫描推断出样品A 的位错密
度大于样品B, 与相应的发光性能吻合。
: GaN; 高分辨X 射线衍射; 位错密度; 掠入射
: O471. 4 : A
Study ofGaN/AlO by high resolution three- crystalX- ray diffraction
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X IAO Q i2ling , ZHANG M eng, WANG Li
1. School ofMater ia ls Science and Engineering, Nanchang Un iversity , Nanchang 330047, Ch ina;
2. Educat ion M in istry Engineering R esearch Center for Lum inescentM aterials and Devices, Nanchang
U niversity , N anchang 330047, Ch ina)
Abstract:H igh- resolution X - ray d iffraction was used to analyze the G aN layers grown on sapphire by
m etal- organic chem
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