ΣιΧ材料及器件研制的进展3.PDFVIP

ΣιΧ材料及器件研制的进展3 李 晋 闽 中国科学院半导体研究所 北京 摘 要 作为第三代的半导体材料 具有禁带宽度大 热导率高 电子的饱和漂移速度大 临界击穿电场高 ) ) ) ≥≤ ! ! ! 和介电常数低等特点 在高频 大功率 耐高温 抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广 ! ! ! 泛的应用前景 文章综述了半导体 材料生长及其器件研制的概况 ≥≤ 关键词 材料 外延生长 器件 ≥≤ ≥≤ ΣιΧΜΑΤΕΡΙΑΛΣΑΝ∆ ∆ΕςΙΧΕΣ 2 (Ινστιτυτεο Σεµιχονδυχτορσ, Χηινεσε Αχαδεµ ο Σχιενχεσ, Βειιν ) φ ψ φ ϕ γ Αβστραχτ ∏≥≤ ∏√ ∏√√ √2∏ 2 2 ∏ √∂ √ ∞⁄. ×√ ≥≤ ∏ √ Κε ωορδσ ≥≤ ≥≤√ ψ °所制作的器件优越得多的工作特性 早期试图使用宽带隙半导体的努力 由于晶体 引言 生长 材料纯度 欧姆接触 整流接触等问题无法解 ! ! ! 在半导体工业中目前仍占主要地位的 是第 决而受阻 近几年取得了相当快的进展 实现了若干 ≥ 一代电子材料 世纪 年代 发展了第二代电子 关键问题的突破 尽管在晶体生长和器件制作方面 材料 即 族化合物半导体 包括 与 和 相比仍然相当不成熟 但是宽带隙器 ∏ !°! ≥ 以及它们的合金 这些化合物半导体构成了所 件已经开始走向市场 光电子器件是首先走向市场 °