介孔SiO 薄膜孔结构的慢正电子技术表征! - 物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 %9 ! ’ ! ， ， ， W/5 -%9 V/ - ! 32F2=B21 ’ （ ） !8’O’O%9 ! O9$(96 IHNI LRT)UHI )UVUHI !’ HE*@ - LECM - )/F - 介孔!#$ 薄膜孔结构的慢正电子技术表征! ） ） ） ） ） ） ! ! # 王巧占 于润升 秦秀波 李玉晓 王宝义 贾全杰 !）（郑州大学物理工程学院，郑州 $%!） ）（中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京 !$’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’ ( ’ $ 通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔 薄膜，并采用同步辐射 射线反射率以及慢正 )*+ , 电子束流技术对其进行表征 实验结果表明，随着旋涂速率的增加，介孔结构由三维立方向二维六角结构转变，同 - 时平均孔隙率随转速增加而减小 利用各向同性无机孔收缩模型和 变换红外光谱，探讨了薄膜结构和正电 - ./01*21 子湮没参数的内在联系- 关键词：同步辐射， 射线反射率， 展宽，正电子素飞行时间谱 , 3/44521 ： ， ， ， %’’ 6!$7 8$9% (9% ’8: 表征，而常用的扫描电子显微镜和透射电子显微镜 !G 引 言 必须破坏样品才能够得到样品的内部信息- 同步辐 射 射线反射率（ ）和慢正电子束流技术都是已 , ,JJ 超大规模集成电路技术的飞速发展，使得阻容 经建立的用于无损薄膜探测的技术手段- 前者提供 延迟引起的信号传播延迟、干扰以及功率损耗等问 了平行于表面法线方向的电子密度剖面以及薄膜密 题越来越严重 低介电常数材料的应用已经成为继 - 度、厚度和粗糙度等信息，后者通过