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SD103AWS二极管选型资料 标记S4
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
SOD-323
SD103AWS-SD103CWS SCHOTTKY BARRIER DIODE
+
FEATURES
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Construction for Transient Protection
Negligible Reverse Recovery Time
Low Reverse Capacitance
MARKING: SD103AWS: S4
SD103BWS: S5
SD103CWS: S6
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter Symbol SD103AWS SD103BWS SD103CWS Unit
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM
Working Peak Reverse Voltage VRWM 40 30 20 V
DC Blocking Voltage VR
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 28 21 14 V
Forward Continuous Current IFM 350 mA
epetitive Peak Forward Surge
IFSM 1.5 A
Current @t≤1s
Power Dissipation Pd 200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 500 ℃/W
Junction Temperature Tj 125 ℃
Storage Temperature TSTG -55~+150
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