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第30卷第4期 上海 电 力 学 院 学报 V01.30.No.4 2叫4年8月 Joumalof of ElectricPower Aug. 2叫4 shan曲aiuniVersity DOI:10.3969/11.issn.1006—4729.2014.04.020 InSb量子点的微观结构及其光学性质 任平1…,邓惠勇2,戴宁2 (1.上海电力学院环境与化学工程学院,上海200090; 2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083) 摘要:采用水平滑移式液相外延技术制备了不同形貌的Insb量子点,并利用扫描电子显微镜(sEM)、能量 色散谱(EDs)和Raman光谱研究了量子点的微观结构及其光学性质.sEM表明制备的Insb量子点易发生团 cm。1波数处,RaImn 聚,其粒径随着过冷度的增大而增大.EDs谱中出现了量子点的In和sb元素峰.在182 光谱中观察到Insb量子点的横向光学声子(To)模式. 关键词:Insb量子点;液相外延;微观结构 文献标志码:A 文章编号:1006—4729(2014)04一0388一04 中图分类号:刑215;-IN304.054;0484.1 and ofInSb Dots Microstructures Quantum opticalProperty REN Pin91.-,DENGHuiyon92,DAINin92 Po州er, (1.矗ooZ妒EMiron舢m以Z以n矗吼emic以ZE昭iMeri昭,跏以昭矗以i‰如e邢叻矽Ek疣c .S^以愕矗以i200090,C矗in以;2.Ⅳ以fiondZ三以60r以fory扣r,7矿i以re矗P矗弘ics,S矗以719矗以i^fifufe盯 z毫c矗nic以Z 200083,(?矗in以) P矗,憎ics,C矗i,陀se4c以矗emyq,.%ie,∽es,S矗以719矗以i InSb different are byhorizontally Abstract: quantumdots(QDs)wimmorph0109iesprepared microstmcmresand are liquidphaseepitaXy(”E)technique.Their opticalproperty shding electron investigatedbyscanning microscope(SEM),energydispersiVex—rayspectroscopy meir matInSb tendto and Raman shows (EDS)andspec仃um.SEM QDs con910merateparticle test

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