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Flash 存储器 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 一、Flash存储器的简介 Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器。 一、Flash存储器的简介 Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。 对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。 一、Flash 存储器的简介 Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4 个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。 Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。 一、Flash 存储器的简介 Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。也就是说以区块为flash 擦除的最小单位。 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 二、Flash存储器的发展 1957年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）利用隧道效应制成了隧道二极管（也称江崎二极管）。 1956年出现的“库珀对”及BCS理论被公认为是对超导现象的完美解释。 1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃（Ivan  Giaever，1929～）通过实验证明了在超导体隧道结中存在单电子隧道效应。 二、Flash存储器的发展 1962年，英国剑桥大学约瑟夫森预言，当两个超导体之间设置一个绝缘薄层构成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）时，电子可以穿过绝缘体从一个超导体到达另一个超导体。 不久安德森和罗厄耳的实验观测所证实——电子对通过两块超导金属间的薄绝缘层（厚度约为10埃）时发生了隧道效应，于是称之为“约瑟夫森效应”。     Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 三、Flash存储器的工作原理 计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。 Flash芯片并不是像光盘那样把信息刻上去的。 硬盘采用磁性物质记录信息的，因为磁性在断电后不会丧失，所以硬盘断电后依然能保存数据。 三、Flash存储器的工作原理 内存的储存形式与硬盘不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM芯片。 U盘里的储存芯片是Flash芯片，它与RAM芯片的工作原理相似但不同。当Flash芯片断电后，数据不会丢失，除非你通电擦除。内存断电就不能保存数据了 三、Flash存储器的工作原理 RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片。 当Flash芯片通电查看储存的信息时，电子就会进入储存空间再反馈信息，电脑就知道芯片里面的物质有没有改变。就是这样，RAM芯片断电后数据会丢失，Flash芯片断电后数据不会丢失，但是RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片。 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 四、Flash存储器的分类 NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。 NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ） NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。 四、Flash存储器的分类 NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，而 NOR 闪存则可以用并行传输模式传送数据。 NAND 闪存内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类 Flash存储器的应用 Flash存储器的简介 五、Flash存储器的应用 NAND 闪存被广泛用于移动储存