网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

电力电子技术第2章电力电子器件.ppt

  1. 1、本文档共98页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电力电子技术第2章电力电子器件剖析

2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多个器件封装在一个模块中,称为功率模块。 ◆可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路,可大大减小线路电感,从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为功率集成电路(Power Integrated Circuit——PIC)。 */98 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■实际应用电路 ◆高压集成电路(High Voltage IC——HVIC) ?一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 ◆智能功率集成电路(Smart Power IC——SPIC) ?一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 ◆智能功率模块(Intelligent Power Module——IPM) ?专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT(Intelligent IGBT)。 */98 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■发展现状 ◆功率集成电路的主要技术难点:高低压电路之 间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 ◆以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功 率应用场合。 ◆智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难 点,最近几年获得了迅速发展。 ◆功率集成电路实现了电能和信息的集成,成为 机电一体化的理想接口。 */98 本章小结 ■将各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本 特性和主要参数等问题作了全面的介绍。 ■电力电子器件归类 ◆按照器件内部电子和空穴 两种载流子参与导电的情况 ?单极型:肖特基二极管、 电力MOSFET和SIT等。 ?双极型:基于PN结的电 力二极管、晶闸管、GTO和 GTR等。 ?复合型 :IGBT、SITH 和MCT等。 图2-26 电力电子器件分类“树” */98 本章小结 ◆按驱动类型 ?电压驱动型器件 √单极型器件和复合型器件。 √共同特点是:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。 ?电流驱动型器件 √双极型器件。 √共同特点是:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路也比较复杂。 ◆按控制信号的波形 ?电平控制型器件 √电压驱动型器件和部分电流驱动型器件(如GTR) ?脉冲触发型器件 √部分电流驱动型器件(如晶闸管和GTO) */98 */98 本章小结 ■电力电子器件的现状和发展趋势 ◆20世纪90年代中期以来,逐渐形成了小功率(10kW以下)场合以电力MOSFET为主,中、大功率场合以IGBT为主的压倒性局面,在10MVA以上或者数千伏以上的应用场合,如果不需要自关断能力,那么晶闸管仍然是目前的首选器件 。 ◆电力MOSFET和IGBT中的技术创新仍然在继续,IGBT还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用领域 。 ◆宽禁带半导体材料由于其各方面性能都优于硅材料,因而是很有前景的电力半导体材料 。 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典 型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 ?在电力电子电路中, GTR工作在开关状态,即工 作在截止区或饱和区。 ?在开关过程中,即在截 止区和饱和区之间过渡时, 一般要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图2-17 共发射极接法时 GTR的输出特性 */98 2.4.2 电力晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √需要经过延迟时间td和上升时间tr,二者之和为开通时间ton。 √增大基极驱动电流ib的幅值并增大dib/dt,可以缩短延迟时间,同时也可以缩短上升时间,从而加快开通过程。 ?关断过程 √需要经过储存时间ts和下降时间tf,二者之和为关断时间toff。 √减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子,或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压, 可以缩短储存时间,

文档评论(0)

wyjy + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档