电工chapter23.ppt

图23.2.3 RAM2114字数扩展 ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS 0 0 选中 0 可编程逻辑器件（PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 图23.3.1 PLD的结构框图 输入电路 与阵列 或阵列 输出电路 ... ... 23.3 可编程逻辑器件 PLD中常用逻辑符号的含义 在图(a)中, 多个输入端“与”门只用一根输入线表示，称乘积线。输入变量A、B、C的输入线和乘积线的交点有三种情况：(1)黑点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。(2)叉点“?”表示该点为用户定义编程点，出厂时此点是接通的, 用户可根据需要断开或保持接通。(3)既无黑点“?”也无叉点“?”时，表示该点是断开的或编程时擦除的，其对应的变量B不是“与”门的输入量。 A B C Y Y=AC (a) A C B ≥1 Y (b) Y=A+C 1 Y (c) Y1=A Y2=A A Y1 Y2 图23.3.2 PLD阵列中的逻辑符号 * 下一页 章目录 返回 上一页 第23章 存储器和可编程逻辑器件 23.1 只读存储器 23.2 随机存取存储器 23.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别。 第23章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻辑器件在实际中的应用。 3. 会用可编程逻辑器件构成简单的逻辑函数 半导体存储器分类： 按功能 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 按元件 双极型存储器:速度快，功耗大。 MOS型存储器：速度较慢，功耗小， 集成度高。 23.1 只读存储器 23.1.1 ROM的结构框图 只读存储器（ROM） ，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。 图23.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 AN-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。图23.1.1中有N×M个存储单元。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图23.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 23.1.2 ROM的工作原理 图23.1.2二极管 ROM电路 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 存储输出 地址输入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“1” 存“0” (1) 存储矩阵 23.1.2 ROM的工作原理 1. 二极管构成的ROM的工作原理 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 交叉点处接有二极管时，相当于存“1”； 交叉点处没有接二极管时，相当于存“0”； 如：字线W0与位线有四个交叉点，其中与位线D0和D2交叉处接有二极管。当选中W0（为高电平）字线时，两个二极管导通，使位线D0和D2为“1”，这相当于接有二极管的交叉点存“1”。 23.1.2 ROM的工作原理 交叉点处没有接二极管处，相当于存“0”；位线D1和D3为“0”，这相当于没接有二极管的交叉点存“0”。 ROM的特点：存储单元存“0”还是存“1”是在设计和制造时已确定，不能改变；而且存入信息后，即使断开电源，所存信息也不会消失，所以ROM也称固定存储器。 (2) 地址译码器 图中是一个二极管译码器，两位地址代码A1A0可指定四个不同的地址。 23.1.2 ROM的工作原理 四个地址的逻辑式分别为： 地址译码器特点： （1）N取一译码：即N条字线中，每次只能选中一条字线。图示电路为四选一译码。 （2）最小项译码：n个地址输入变量A0~An最小项的数目为N=2n。图示