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研究生课程（论文类）纳米线的纳米级性能：增强能量转换和存储的相位竞争纳米线的纳米级性能：增强能量转换和存储的相位竞争 能源供应的不断增长的需求推动了对清洁生成的和可再生能源的追求。目前，电能需求增长速度是整体能源使用量的两倍，预计到2035年将增长三分之二以上。例如，2012年42％的一次能源转化为电。这反过来驱动对用于有效存储，吸收，供应和转换电力的装置的需求。这些装置需要高能量存储密度，高功率密度，高能量效率和转换特性。对功能材料的需求对于小型化和可集成的电子和电气系统更加迫切。在散装材料中，反铁电体由于其潜在的能量存储和转换而受到极大的关注，这源于大的饱和极化，小的残余极化和优异的机电特性。例如，优化的厚膜可以表现出高达60的能量存储密度和接近40％的效率。这是一个典型的介质电容器，只能存储高达2的能量。反铁电的另一个独特的和技术上期望的特征是伴随由电场引起的反铁电到铁电相变的应变的大变化。例如，在反铁电大块陶瓷中，反铁电（AFE）和铁电（FE）相之间的应变差异可以达到0.4％，使其成为微致动器的优良候选者。 虽然反铁电在能量应用的材料领域已经成为强竞争者，但是它们作为小型化装置使用的前景仍然在很大程度上是未知的，迄今为止的大多数研究集中在薄膜的几何形状。已有报道反铁电膜具有在7-37的范围内的能量存储密度，其低于相应体积发现的值。有些类似机电响应的趋势，似乎在薄膜变得更弱。例如，反铁电薄膜的应变只能达到0.2％，这种性质的劣化是由AFE薄膜发展FE相的趋势引起的。另一方面，超越平面几何形状的AFE纳米结构的性质少有研究，这对AFE纳米线尤其如此。纳米线可以使用各种实验技术合成，作为互连和功能单元在电子，光电子，电化学和机电纳米器件的制造这些方面特别有价值。同时，AFE纳米线对于能量相关应用的前景几乎是未知的。反铁电纳米线可以胜过其对应的能量储存和转换性能，或者在纳米尺度的铁电性实际上导致功能的恶化。虽然实验答案待定，基于原子尺度的第一原理的模拟可能已经提供了一些有价值的指导。 2.计算方法 （反）铁电体的有效哈米尔顿模型的必威体育精装版发展已经使得各种纳米尺度（反）极性材料的模拟成为可能。我们在应用电场和宽范围温度下对电纳米线进行了这样的研究，目的是解决上述问题。沿着[001]假立方方向生长的具有4.1至8.3nm的横向尺寸d的无应力纳米线沿纳米线轴周期性的NxNx20超晶胞模拟，超细胞的能量由的第一原理有效哈密顿量给出。哈密??尔顿算子的自由度包括与单位晶胞中的偶极矩成比例的局部模式，描述氧八面体旋转的氧化铝八面体绕拟赝立轴倾斜，以及应变变量张量，其负责单元电池的机械变形。注意，这里的单位晶胞是指立方钙钛矿的五原子晶胞。哈密尔顿算子的能量包括准一维结构中的偶极-偶极相互作用，短程相互作用，现场自身能量，弹性能量，自由度之间的耦合能量和局部模式之间的相互作用和电场。Hamiltonian正确再现了PbZrO3的许多电学和热力学性质。特别地，它准确地预测反铁电相变和与其相关的偶极模式，电滞后环路和在压力下的行为。 为了模拟不同的电边界条件，我们应用与纳米结构中的平均去极化场相反的均匀电场。超细胞中的平均去极化场可以从Ref的原子方法计算，或来自连续模型近似的平均去极化场。考虑本研究中的纳米结构尺寸，两种方法给出非常相似的结果，由于其计算效率，我们大多使用连续模型近似。补偿电荷的量由表面电荷补偿的百分比β控制。例如，β=92％对应于当自由载流子可以补偿由于极化造成的高达92％的表面电荷的情况。参数β与电极的有限屏蔽长度λ和纳米线的横向尺寸d相关，关系 如下：。然而，表面电荷补偿不一定需要电极。实例包括由于分子吸附物，电荷载流子，固有表面态，氧或其它离子空 位等引起的表面电荷补偿。在这些情况下，筛选参数可以与自由载流子的浓度n相关。类似的计算方法以前用于模拟铁电纳米结构中的不同电边界条件。哈密??顿量给出的能量用于规范的蒙特卡罗模拟。通常在单次运行中模拟40,000次蒙特卡罗扫描。为了获得平衡相，使用模拟退火技术将所有纳米结构从1500K退火至5K。 我们首先考虑当自由电荷可以屏蔽高达92％的极化表面电荷时的情况，这对应于局部表面电荷补偿的现实情况。图1示出了对于具有不同横向尺寸的纳米线，极化的室温对电场的依赖性。通过施加垂直于纳米线轴（在我们的情况下为[100]假立方体方向）的电场获得P（E）环，其模拟用于测量纳米线中的电和压电响应的实验装置。最引人注目的特征是从AFE到低于临界厚度7.4nm的FE行为的转变。这种转变类似于超薄膜中发现的转变，并且可以通过最近提出的表面效应来解释。表面消除了中相邻偶极子之间的能量昂贵的短程相互作用，从而稳定了FE相。众所周知，极性纳米结构中的平衡相对表面电荷补偿非常敏感。然而，补偿电荷的精确量仍然