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某高频小信号放大器电路如图所示,工作频率为30MHZ,回路电容为43pF,RL=2K?,线圈的Q0=100,晶体管的参数如下:yie=2+j12ms,yre?0,|yfe|=380ms,yoe=0.2+j0.8ms.若要求带宽为500KHZ,(1)画出用Y参数表示的放大器等效电路;(2)试求回路有载Qe值. 某10.7MHZ中频放大器如图所示的两级相同的LC选频放大器组成.若已知每级放大器的电压增益AV=10,回路有载Qe=20,两级回路中心频率均调谐在f0=10.7MHZ上. (1)求每级放大器的带宽和矩形系数,两级放大器总带宽和矩形系数,总增益; (2)为保证总带宽为0.5MHZ,每级LC回路的Qe应为多大?采取什么措施可以达到. 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * 第二章 高频小信号放大电路 第一节 概述 高频小信号放大电路分: 1、窄频带放大电路: 2、宽频带放大电路: 几kHz—几MHz;电压增益,选频;分两类: 1)以分立元件为主的谐振放大器; 2)以集成电路为主的集中选频放大器。 几MHz--几GHz;不失真放大。 第二节 谐振放大器 高频小信号放大电路是线性放大电路。Y参数等效电路和混合π型等效电路是分析高频晶体管电路线性工作的重要工具。 1、混合π型等效电路:模拟晶体管物理机构,R、C和受控源; 优点:物理意义明确,在较宽频带内元件值与频率无关; 缺点:分析和测量不方便。 适用于分析宽频带小信号放大器。 2、Y参数等效电路:测量和使用,有源线性双口网络,网络参数; 优点:分析和测量方便; 缺点:网络参数与频率有关。 适用于高频小信号放大电路。 一、Y参数等效电路 双口网络即具有两个端口的网络。所谓端口是指一对端钮, 流入其中一个端钮的电流总是等于流出另一个端钮的电流。 而四端网络虽然其外部结构与双口网络相同, 但对流入流出电流没有类似的规定, 这是两者的区别。 Y参数方程是选取各端口的电压为自变量, 电流为应变量, 其方程如下: 其中y11、y12、y21、y22四个参数均具有导纳量纲, 且: yfe越大, 表示晶体管的放大能力越强;yre越大, 表示晶体管的内部反馈越强。yre是谐振放大器自激的根源, 同时也使分析过程变得复杂, 因此应尽可能使其减小, 或削弱它的影响。 注意: Y参数不仅与静态工作点的电压值、电流值有关, 而且是工作频率的函数。 yie=gie+jωCie yoe=goe+jωCoe yfe=|yfe|∠φfe yre=|yre|∠φre 二、单管单调谐放大器 作用:将微弱的有用信号进行线性放大并滤除不需要的噪声和干扰信号 主要性能指标:电压增益、通频带、矩形系数和噪声系数。 1、电路组成及特点 2. 电路性能分析 负载的接入系数为n2, 晶体管的接入系数为n1 其中, YL=n21Y′L,是Y′L等效到谐振回路两端的导纳 gΣ=n21goe+n22gie+ge0 CΣ=n21Coe+n22Cie+C 谐振频率处放大器的电压增益 单管单调谐放大器的单位谐振函数N(f)与其并联谐振回路的单位谐振函数相同, 且都可以写成: 由上述公式可知, 电压增益振幅与晶体管参数、 负载电导、回路谐振电导和接入系数有关: (1) 为了增大Au0, 应选取|yfe|大, goe小的晶体管。 (2) 为了增大Au0, 要求负载电导小, 如果负载是下一级放大器, 则要求其gie小。 (3) 回路谐振电导ge0越小, Au0越大。而ge0取决于回路空载Q值Q0, 与Q0成反比。 矩形系数? 与单个并联谐振回路的相同 (4) Au0与接入系数n1、n2有关, 但不是单调递增或单调递减关系。n1与n2的选择应全面考虑, 选取最佳值。 例2.1 在图2.2.2中, 已知工作频率f0=30MHz, Vcc=6V, Ie=2 mA。晶体管采用3DG47型高频管。其Y参数在上述工作条件和工作频率处的数值如下: gie=1.2mS,Cie=12pF;goe=400μS,Coe=9.5pF;|yfe|=58.3mS, ∠φfe=-22°;|yre|=
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