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负电子亲和势GaN 真空面电子源研究进展 - 物理学报
物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援员园 渊圆园员员冤摇 员园苑怨园员
前沿领域综述
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乔建良 摇 常本康 摇 钱芸生 摇 高摇 频 摇 王晓晖 摇 徐摇 源
员冤渊南京理工大学电子工程与光电技术学院袁南京摇 圆员园园怨源冤
圆冤渊南阳理工学院电子与电气工程系袁南阳摇 源苑猿园园源冤
渊圆园员园年员圆月苑 日收到曰圆园员员年员月员远 日收到修改稿冤
摇 摇 结合国内和国外的必威体育精装版研究成果袁论述了目前在晕耘粤郧葬晕真空面电子源研究方面的现状援 从光电发射理论尧
表面净化方法尧阴极激活工艺尧光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对郧葬晕真空电子源的研究取得了一定成
绩院初步研究了晕耘粤郧葬晕 电子源的光电发射机理曰给出了可获得原子级清洁表面的净化方法曰采用悦泽或悦泽辕韵对
郧葬晕材料进行了有效激活曰测试了郧葬晕真空电子源材料的光谱响应曰探讨了影响电子源量子效率的材料特性援 指
出了下一步研究需要关注的内容援
关键词院晕耘粤袁郧葬晕袁 电子源袁光谱响应
孕粤悦杂院苑怨援远园援原蚤袁苑圆援愿园援耘赠袁苑猿援远员援耘赠袁苑猿援圆园援粤贼
郧葬晕 真空电子发射器的制备现状袁从光电发射理
员郾 引 言 论尧表面净化方法尧阴极激活工艺尧光谱响应测试以
及对郧葬晕材料特性的要求等方面分析了目前的研
作为一种宽禁带直接带隙半导体材料袁郧葬晕是 究进展袁指出了目前研究所取得的成绩和下一步的
研制微电子器件尧光电子器件的新型材料袁与 杂蚤悦尧 研究重点援 这对促进晕耘粤郧葬晕真空电子源的深入
金刚石等材料一起袁被誉为是郧藻袁杂蚤袁郧葬粤泽袁陨灶孕之后 研究具有重要作用援
的第三代半导体材料援 近年来伴随着郧葬晕材料外延
及责型掺杂技术的突破咱员要猿暂 袁郧葬晕材料得到了广泛 圆郾 晕耘粤郧葬晕 面电子源光电发射机理
重视和发展袁其制备技术已日趋成熟袁这为 晕耘粤
郧葬晕真空电子源的出现奠定了必要的基础援 晕耘粤 摇 摇 获得有效光电发射的关键是减小 郧葬晕发射表
郧葬晕光电阴极量子效率高尧发射电子能量分布与角 面的真空能级袁使之低于体内导带底能级袁即获得
度分布集中尧发射电流密度大袁作为优良的面电子 所谓的 晕耘粤 表面咱源要远暂援 这种特性可在 责 型重掺杂
源袁易于实现光照作用下电子束的平面发射援 另外 的郧葬晕材料上得到援 晕耘粤光电阴极是指真空能级
晕耘粤郧葬晕光电阴极在超高真空环境中具有优良的 耘园 低于导带底能级耘 袁使有效电子亲和势变为负值糟
稳定性能袁在高能物理尧微电子技术尧电子束平面印 的半导体材料袁晕耘粤半导体的能级结构如图 员
刷以及电子显微镜等领域也将得到广泛应用援 所示援
虽然晕耘粤郧葬晕真空面电子源的应用前景美好袁 由图员可知袁电子亲和势字越耘园 原耘 袁逸出功准糟
但目前针对晕耘粤郧葬晕 电子源的基础研究还比较薄 越耘 原耘 袁耘 是费米能级袁于是字越准原 渊耘 原耘 冤援
园 云 云 糟 云
弱袁还存在很多问题院光电发射理论需要完善曰表面 要实现晕耘粤特性袁就必须满足条件准约耘 原耘 袁即
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