第1章_半导体器件.ppt

半导体器件是电子技术的重要组成部分。 半导体器件的发展：分立半导体器件→小规模集成电路→中规模集成电路→大规模和超大规模集成电路。 最常用的半导体器件：半导体二极管、半导体三极管。 半导体二极管和三极管的结构、工作原理、特性和参数是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础。 一、记住基本元件的电路符号 、伏安 特性和元件在电路中的作用。 二、会分析简单的电路 按导电能力的不同，物质可以分为：导体、半导体、绝缘体。 常用的半导体材料：四价元素Si（硅）、Ge（锗）。 按材料分：硅管（一般为面接触型）和锗管（一般为点接触型）。 按用途分：普通二极管、整流二极管和开关二极管。 ★ 二极管的几种外形： 二极管属于非线性电阻元件。 理想二极管：正向导通时，正向压降为零，正向电阻为零，二极管相当于短路；反向截止时，反向电流为零，反向电阻无穷大，二极管相当于开路。 1.2.4 整流电路 例2： 2. 有电容滤波的整流电路 电容滤波电路的特点： 例： 三极管的作用：电流放大 各级电流运算关系 晶体管的安全工作区 第1章 半导体器件 输出为固定电压 2. 应用电路—— + _ W7800系列稳压器基本接线图 Co W78XX Ci Ui + _ Uo 1 2 3 0.1~1?F 1μF 为了瞬时增减负载电流 时，不致引起输出电压 有较大的波动，即用来 改善负载的瞬态响应。 用来抵消输入端接线 较长时的电感效应， 防止产生自激振荡。 用以改善波形。 正负电压同时输出的电路 W78XX Ci Ui + _ UO 1 2 3 + _ Ci W79XX 1 2 CO CO 3 UO 输出正负电压 2. 应用电路—— 1.5 半导体三极管(晶体管) B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：最薄，掺杂浓度最低 集电区：面积最大 发射区： 掺杂浓度最高 1.5 半导体三极管(晶体管) 1.5.1 基本结构 发射结 集电结 1.5.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + JC Je B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B 1.5 半导体三极管(晶体管) 硅管 锗管 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 ☆ 三极管符号 N P N C B E P N P C B E 三极管发射极的箭头方向代表发射结正向偏置时发射极电流的实际流向。 1.5.2 电流分配和电流放大原理 共发射极电路 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 RC 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此测量结果可得出如下结论： (1) IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 (2) IE和IC接近，但是比IB 大得多。 (3) 当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA (4) 晶体管要正常放大：发射结必须正偏，集电结必须反偏。 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3