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M. V. Ramana Murty, L. Giovane, S. K. Ray, K. -L. Chew, M. V. Crom, T. E. Sale, A.
Sridhara, C. Zhao, Chu Chen, and T. R. Fanning (Avago Technologies)
850nm VCSEL
(PJ/bit)(bits/mm2)($/Gb/s)
1x12 10G VCSEL
VCSELVSCSEL
(ESD, ElectroStatic Discharge) 10 25Gb/s
VCSEL
(VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser)(MMF,
Multi-Mode Fiber)
(NA,
Numerical Aperture)
10Gb/s
10Gb/s
300
VCSEL
VCSEL 1Gb/s
(LED)(Ethernet)
(Fiber Channel) 10Gb/s 14Gb/s850nm VCSEL
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1x4 1x12 VCSEL
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VCSEL 100GbE
1x12 10G VCSEL CXP
1x12 10G VCSEL 250µm n
(DBR, Distributed Bragg Reflector)p DBR GaAs
(Quantum Well)1(a)5°C 80°C 1x12 12 LI
5°C 0.75mA 80°C 1.1mA 25°C
η (slope efficiency) 0.50W/A
1(b)1/e2 1(c)4
10.3Gb/s 20°30°
(a) (b) (c)
1(a)5°C 80°C 1x12 10G 12 LI (b)6mA
VCSEL (c)4
1/e2
2 5°C80°CVCSELS216mA5°C80°C3dB
f3dB11.1GHz10.3GHzS21
( 1)
f f γA
r 0
fr D 5°C 80°C
4.1GHz/mA 1/2 4.2GHz/mA 1/2fr5°C
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4mA 35ns-110mA69ns-1
(a)
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