- 1、本文档共230页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第2章晶体管及其基本放大电路剖析
2.1.2 晶体管的三种连接方式 2.1.3 晶体管的工作状态 工作状态可分为三种: 放大状态 饱和状态 截止状态 1. 放大状态(发射结正向偏置、集电结反向偏置 ) ② 共基直流电流放大系数 (3) 晶体管的放大作用 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小,达到控制IC的目的,而并不是真正把微小电流放大了,因此,晶体管称为电流控制型器件。 定义 :保持工作点处UCE不变,集电极电流变化量与基极电流变化量之比,称为共发射极交流电流放大系数。即 定义 :保持工作点处UCB不变,集电极电流变化量与发 射极电流变化量之比,称为共基极交流电流放大系数。 即 2. 饱和状态 (发射结正向偏置、集电结正向偏置) 集电极电位低于基极电位,集电结正向偏置,不利于集电极从基区收集非平衡少数载流子,从发射区扩散到基区的非平衡少子在基区复合的数量增大,而进入集电区的数量减少,集电极电流不再随基极电流的增大而增大,基极电流失去了对集电极电流的控制作用(晶体管失去了放大能力),集电极电流好像饱和了。 2. 饱和状态 (两个结都正偏) 3. 截止状态 (两个结都反偏) 晶体管发射结反向偏置或零偏(UBE≤0),集电结反向偏置(UBC<0),不利于发射极多数载流子的扩散运动,发射极电流几乎为零,此时,集电极流过反向饱和电流IC=ICBO, 基极电流: IB= –ICBO, ICBO很小可忽略不计,认为晶体管处于截止状态。 分析 ① 工作于放大状态的晶体管,发射结正向偏置、集电结反 向偏置:NPN管UC>UB>UE PNP管UC<UB<UE 基极电位总是居中,据此可先确定基极; ② 硅管:UBE=0.6~0.8V、锗管的UBE=0.2~0.4V, 从而可判断出与基极相差这一数值的电极为发射极, 并由这一差值大小判断是硅管还是锗管; ③ 余下一个电极为集电极。 ④ 集电极电位最高的为NPN管,集电极电位最低的为PNP管。 现以iB=30uA一条加以说明。 2.1.5 晶体管的直流模型 【例2-3】 晶体管VT的特性曲线如下图所示,在其上确定?、? 、PCM、ICEO、U(BR)CEO。在如下电路中,当开关S接在A、B、C三个触点时,判断晶体管VT的工作状态,确定UCE的值。 (1) 根据电路对晶体管的要求查阅手册,从而确定选用晶体管的型号,其极限参数ICM、U(BR)CEO和PCM应分别大于电路对管子的集电极最大允许电流、集-射极间击穿电压和集电极最大允许功耗的要求。 (2) 在维修电子设备时,若发现晶体管损坏,应该用同型号的管子替换。若找不到同型号的管子而需要用其它型号的管子来替换时,应注意:要用同种材料、同种类型的管子替换,替换后管子的参数ICM、U(BR)CEO和PCM一般不得低于原管。 通频带越宽表明放大电路对不同频率信号的适应能力越强,但是通频带也不是越宽越好,通频带超出信号所需要的宽度,会增加电路的成本,同时也会把有用信号以外的干扰和噪声信号一起放大,所以,应根据信号的频带宽度来要求放大电路应有的通频带。 1.静态: ui=0. 1.确定静态工作点Q 在输入回路中确定 (UBEQ, IBQ); 在输出回路中确定 (UCEQ, ICQ) 做出直流负载线。 2. 放大器输出动态范围UOPP 由于受晶体管截止和饱和的限制,放大器的不失真输出电压有一个范围,其最大值称为放大器输出动态范围UOPP。 输出动态范围UOPP为最大不失真输出电压的幅度(Uom)M的两倍,即 UOPP=2 (Uom)M 为了充分利用晶体管的放大区,使输出动态范围最大,静态工作点Q应选在交流负载线的接近中点处。使UF=UR,输出动态范围达最大值:U
文档评论(0)