3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究 - 山东大学学报（理学版）.PDF

　第４９卷　第３期 山　东　大　学　学　报　（理　学　版） ２０１４年３月　 　 　 　 　 　 　Ｖｏｌ．４９　 Ｎｏ．３　 　 　 　 　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ） Ｍａｒ．２０１４　 　文章编号：１６７１９３５２（２０１４）０３００１８０４　　　ＤＯＩ：１０６０４０／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７１９３５２０２０１３５６７ ３ＣＳｉＣ电子结构和铁磁性的第一性原理研究 林雪玲，潘凤春 （宁夏大学物理电气信息学院，宁夏 银川７５００２１） 摘要：基于第一性原理计算的方法，研究了３ＣＳｉＣ中缺陷的磁学性质。结果表明，－１价和－２价的硅空位可分别 引入３ 和２ 的磁矩，而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺陷波函数的扩展性，－２价的硅空 μ μ Ｂ Ｂ 位间在距离０．８６１６ｎｍ时仍然是长程铁磁耦合的，但－１价的硅空位间是反铁磁耦合，因而该种缺陷对磁性没有 贡献。 关键词：ＳｉＣ；磁性；第一性原理 中图分类号：Ｏ４６９；Ｏ７７　　　文献标志码：Ａ Ｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄ ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｓｍｉｎ３ＣＳｉＣ  ＬＩＮＸｕｅｌｉｎｇ，ＰＡＮＦｅｎｇｃｈｕｎ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮｉｎｇｘｉａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｙｉｎｃｈｕａｎ７５００２１，Ｎｉｎｇｘｉａ，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｄｅｆｅｃｔｓｉｎ３ＣＳｉＣｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．Ｃａｌｃｕｌａ ｔｉｏｎｓｒｅｖｅａｌｔｈａｔｔｈｅｓｉｎｇｌｅｃｈａｒｇｅｄｓｉｌｉｃｏｎｖａｃａｎｃｙａｎｄｔｈｅｄｏｕｂｌｅｃｈａｒｇｅｄｓｉｌｉｃｏｎｖａｃａｎｃｙｃａｎｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙｉｎｄｕｃｅｍａｇ ｎｅｔｉｃｍｏｍｅｎｔｓｏｆ３ ａｎｄ２ ；ｗｈｉｌｅｔｈｅｎｅｕｔｒａｌｏｎｅｃａｎｎｏｔｌｅａｄｔｏｔｈｅｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓｓｐｉｎｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ．Ｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｃ μ μ Ｂ Ｂ ｃｏｕｐｌｉｎｇｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｄｏｕｂｌｅｃｈａｒｇｅｄｓｉｌｉｃｏｎｖａｃａｎｃｉｅｓｉｓｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｅｖｅｎｗｈｅｎｔｈｅｄｅｆｅｃｔｓｅｐａｒａｔｉｏｎｉｓａｓｌｏｎｇａｓ ０．８６１６ｎｍ，ｗｈｉｃｈｃａｎｂｅｅｘｐｌａｉｎｅｄｂｙｔｈｅｅｘｔｅｎｄｅｄｔａｉｌｓｏｆｄｅｆｅｃｔｗａｖｅｆｕｎｃｔｉｏｎｓ；ｗｈｅｒｅａｓ，ｔｈｅｓｉｎｇｌｅｃｈａｒｇｅｄｓｉｌｉｃｏｎ ｖａｃａｎｃｉｅｓｃｏｕｐｌｅａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ，ｗｈｉｃｈｃａｎｎｏｔｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅｔｏｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｓｍ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＳｉＣ；ｍａｇｎｅｔｉｓｍ；ｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ 其适合制备高功率、高射频以及抗辐射的电子器件，