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光电检测器件及参数 三、几种光电变换结构形式 (1)反射式 此反射式能检测表面粗糙程度、表面缺陷、外观质量、测量转速等。 这种光反射式检测原理,除上述应用外,还可以进行光电测距、激光制导、直至电视摄像等。 (2)透射式 (3)辐射式 (4)遮挡式 (5)干涉式 具体请看下面实例: (1)反射式 (2)透射式 (3)辐射式(4)遮挡式 (5)干涉式 四、光电器件 1.光电管 (1)结构 光电阴极有的是帖附在玻璃泡内壁,有的是涂在半圆筒形的金属片上。阴极对光敏感的一面是内向的。在阴极前装有单根金属丝或环状的阳极。 (2)原理 当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子,电子被带正电位的阳极所吸引,这样在光电管内就有电子流,在外电路中便产生了电流 (3)伏安特性曲线 当光通量一定时,阳极电压与阳极电流的关系,叫做光电管的伏安特性曲线 真空光电管的伏安特性 光电管的工作点应选在光电流与阳极电压无关的区域内 充气光电管 构造与真空光电管基本相同。不同之处在于在玻璃泡内充以少量的惰性气体。如氩、氦。当光电极被光照射而发射电子时,光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子,使其电离而使阳极电流急速增加。 优点:灵敏度高 缺点:但灵敏度随电压显著变化的稳定性,频率特性都比真空管差。 2.光电倍增管 构成:光电倍增管由一个光电阴极、若干个倍增极和阳极所构成。 原理:当光线照射光电阴极K时,阴极发射出一些光电子,这些光电子首先打在第一倍增极D1上,由于D1电位高于K,光电子轰击D1时的动能相当大,因此D1发射的二次电子数比光电子数多几倍。第一倍增极发射的二次电子打到电位比D1高的第二倍增极D2上,D2发射的二次电子数增大几倍,这样逐级下去,最后一个倍增极所发射的二次电子数比从阴极K发射的光电子数增加几个数量级。如11个倍增极的光电子管D11发射的二次电子数约为光电子数的105~106倍。最后一个倍增极所发射的二次电子被阳极A收集,形成信号电流。 应用:应用于微弱光照的场合。是一种将微弱信号转换为电信号的光电转换器件。 光电倍增管电路原理 3. 光敏电阻(光电导器件或光导管) (1)光敏电阻的工作原理 是用光电导体制成的光电器件,它是基于半导体光电效应工作的。 光敏电阻无极性,纯粹是一个电阻器件,使用时可加直流偏压,也可加交流电压。 光敏电阻的工作原理:光照时,电阻很小;无光照时,电阻很大。光照越强,电阻越小;光照停止,电阻又恢复原值。 构成(结构) 在坚固的金属外壳上安置绝缘陶瓷基板,基板上蒸镀或烧结上CdS(硫化镉)光电导体材料,为了增大受光面积,将光电导做成栅状。 灵敏度:灵敏度很高 光谱响应范围:从紫外区——到红外区域,而且,体积小,性能稳定,价格较低。 几种典型光敏电阻 ①CdS光敏电阻 在可见光波段内灵敏度最高。峰值波长520nm。主要应用于照相机的曝光表和电子快门。在光检测中可作为光桥、光位计、光检测器件中使用。 ②PbS(硫化铅)光敏电阻: 在近红外波段最灵敏。光谱响应范围1~3.5μm,峰值波长2.4μm ③InSb(锑化铟)光敏电阻 使用范围:3~5μm光谱,在室温工作长波限可达7.5μm,峰值波长6μm。 ④HgCdTe系列器件是目前性能最优良最有前途的光电导探测器,尤其是对8-4μm大气窗口波段的探测更为重要。 常用探测器波长范围: 8~14μm 3~5μm 1~3μm 光敏电阻的主要参数和基本特性 (1)光电流: 光敏电阻不受光照射时的阻值称为“暗电阻”,此时流过的电流称为“暗电流”。 光敏电阻在受光照射时的阻值称为“亮电流”,此时电流称为“亮电流”。 光电流=亮电流-暗电流 对于光敏电阻希望: 暗阻愈大愈好 亮阻越小越好 实际光敏电阻 暗阻值一般兆欧数量级 亮阻值一般在几千欧以下 (2)光敏电阻的伏安特性 在光敏电阻两端加电压与电流的关系曲线,称为光敏电阻的伏安特性。 曲线知: i)所加电压U越高,光电流I也越大,而且无饱和现象。 ii)在给定的光照下,U-I曲线是一直线,说明电阻值与外加电压无关。 iii)在给定的电压下,光电流的数值将随光照的增强而增加。 (3)光照特性 光电流I和光通量F的关系曲线,称光照特性。不同的光敏电阻的光照特性是不同的。但在大多数情况下,曲线的形状类似。 缺点: 光照特性是非线性的,不适宜做成线性的敏感器件。只做开关量的光电传感器。 ④光谱特性 光敏电阻对不同波长的入射光,其相对灵敏度不同。 各种不同材料的光谱特性曲线相同。 因为不同材料的峰值不同,所以在焊光敏电阻时,就应当把元件和光源结合起来考虑。 ⑤频率特性 对于不同
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