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2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 10 10 2002 #_ 1 月 、 年测验 ________________________________________________ 名字： 注意事项 （在开始之前请仔细 阅读）：  确认你的名字写指定的位置上面。  开卷：你可以使用任何你愿意使用的资料。  全部的答案应写在给定的答题的空间位置。  请不要上缴任何除考卷外的其它东西。  你有120分钟来完成你的测验。  作合理的近似并对说明他们、换言之。低水平注入、非本征的半导体、准中性、等等。对 0 列出问题但没有计算的，将只给部分的分数。对没道理的答案，将给 分。  使用在上课中不同物理参数符号表示方法、换言之，N c ,τ ,ε , 等等。  注意要求有数字答案的问题。一个代数表达式的答案不会得到全分的。每个数字的答 案必须有的正确的单位。对答案没有单位或单位错误的将减分。定义坐标的情况下、 符号也是答案的一部分。  Alamo Si 如果需要、使用 笔记中掺杂决定 参数的图表。  如果需要、在室温下使用硅的物理参数列在Alamos笔记的附录 Ｂ上。  如果需要、在室温下使用硅的基本常数列在Alamos笔记的附录Ａ上。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 10 描述一个半导体，在室温下电子以及孔穴麦克斯韦玻耳兹曼统计不能被用 （ 分） 于热平衡情况。作出解释。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2. 10 （ 分）在一个半导体中载流子产生的光子能量的阈值取决于掺杂吗？作出解释。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 3 . 10 Ei （ 分 ）考虑一个在室温下 的硅样 品，具有 的主要 陷阱浓度为位于 附近 16 − 3 − 10 3 N = 10 cm c = c = 10 cm / s t 。这个陷阱对电子和空穴的俘获率为 e h 。 这个样品置于强烈的光照下，引起载流子浓度变为n = 2 1017 cm− 3 而 17 − 3 p = 10 cm ，在空间均匀 分布。 计算经过许多产生