特征有源矩阵显示驱动器 - Silvaco.PDF

TFT 非晶体和多晶体器件仿真器 TFT是一个高级器件技术仿真器，配备必不可少的物理模型和专用数值求解技术，仿真非晶体或包括薄膜晶体管在内的多晶 硅器件。它专门应用于大面积电子显示，例如平板显示(FPD)和太阳能电池。 TFT仿真非晶体材料带隙里的缺陷态分布的电学效应。用户可定义态密度(DOS)为能量的函数，用于非晶体硅和多晶硅的晶粒 和晶粒边界以及捕捉电子和空穴的横截面/寿命。用户可修改迁移率模型、碰撞电离和带间隧道效应等，从而精确地预测器件 性能。 特征 • 依赖于能量的DOS • 声子参与的缺陷能级和能带之间的隧穿效应 • 带间隧道效应 • Poole-Frenkel势垒降低 • DIGBL (漏极引发晶粒势垒降低) • DC, AC和瞬态仿真 有源矩阵显示驱动器 TFT可仿真用于大型平板显示器的有源矩阵显示驱动器 。 此技术基于低温处理的a-Si:H或多晶硅TFT 。非平面或多栅 极的TFT结构的电学特性表征成为可能。 一个顶部栅极n隧道多硅TFT 。这种器件用于驱动有源矩阵显示的 元件。这里显示0V处的电势轮廓图。晶粒尺寸为600nm,多硅厚 度为50nm，栅极氧化层厚度为140nm。 缺陷的分布依赖于能量。该图描述整个施主和受主形缺 陷密度级别，包括尾分布和高斯分布。用户可简便使用 C解释器修改这些DOS定义来指定材料特性。 ATLAS建模带间隧道效应以及阱辅助隧道导致的负栅偏压处的反 一个p和n隧道多硅TFT的IV特性。 向漏电流。这里显示的是两个不同漏极偏压的高反向漏电流。 TFT驱动像素的仿真 TFT可结合MixedMode混合模式，精确地仿真TFT LCD平板的像素。 相对于简约TFT模型，这种方法更基于物理，它使设计师可分析和优化 LCD平板电路设计，以及在每个像素之中评估寄生的效应。TFT处理多 像素，允许大规模LCD平板仿真。 这里显示的是一个 TFT 像素的等效电 路。MixedMode被 用来仿真TFT驱动的 像素的电学特性。 TFT像素的比特线编程效应。漏极电压距离源电压有一 个延迟，它是由外部电阻和电容元件导致。 AC分析时的电容 TFT可以和小信号AC分析一起使用，提取灵敏度和电容信息。 在较高的漏极电压处，Cgd轻微增加，这与bulk MOS器件不同。在随着漏极电压的增加Cgs减小而 Cgd增加的小型器件中，这个现象更为显著，多硅 TFT的扭结效应可解释它的存在。 晶粒边界 DIGBL效应 晶粒边界严重地影响TFT 中的迁移率。TFT允许在隧道 该图显示漏极电压为5V时的开态电阻所引起的DIGBL效应。 中将晶粒边界设为不同的区域。然后这些区域的属性可 每个栅极电压的线不通过同一点。这是多硅TFT的独特现象。 以设置为与晶粒区域属性不同。这些材料属性定义可来 自一个C解释器文件或是使用TFT 的函数。 TFT结构显示晶粒边界。 IdVd特性为栅极偏压的函数。漏极偏压较低时，晶粒边界电势较 高。随着漏极偏压的增高，晶粒边界偏压降低，因此漏极电流增 加。这就是DIGBL效应。 太阳能电池 TFT配合Luminous使用，用来仿真非晶体硅制造的薄膜太阳能电池。它可提 取