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电沉积法制备铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的研究进展 - 材料导报
· · 材料导报 :综述篇 年 月()第 卷第 期
50 A 2016 6 A 30 6
电沉积法制备铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的研究进展
韩 贵,陆金花,王 敏,李丹阳
(扬州大学化学化工学院,扬州 225002)
摘要 直接禁带半导体材料铜锌锡硫( )四元硫化物是近年来研究较多的具有锌黄锡矿结构的化合物半
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导体,由于其光吸收系数较高,禁带宽度适中,是太阳能电池理想的候选材料,使其在薄膜太阳能电池中迅速崛起。
由于目前报道的最高转换效率距离其理论转换效率还存在相当差距,因此,研究 ( )四元硫(硒)化物半导体仍
CZTSSe
然是当前的研究热点之一。简单介绍了 薄膜太阳能电池的结构组成,并详细介绍了 种主要制备 薄膜
CZTS 3 CZTS
的电沉积方法,即分步沉积 / / 金属层、连续沉积 金属层、一步沉积 ( )制备 薄膜
CuSnZn CuZnSn CuZnSnSSe CZTS
太阳能电池吸收层的电化学技术及相应器件,对其研究进展进行了综述,指出了相应方法存在的问题。还将 种电
3
沉积方法进行了分析比较,提出了优化方法,展望了未来的发展趋势。
关键词 铜锌锡硫 太阳能电池 效率 电沉积
中图分类号: ; 文献标识码: : /
TB34O613.51 A 犇犗犐10.11896.issn.1005023X.2016.011.008
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