雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析 - 表面技术.pdf

第44卷摇 第5期 摇 摇 摇 表面技术 摇 摇 2015年05月 SURFACE TECHNOLOGY ·129 · 試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試 摇 表面质量控制及检测 雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析 壮筱凯,李庆忠 (江南大学 机械工程学院,江苏 无锡214122) 摘摇 要: 目的摇 研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。 方法摇 应用化学腐蚀法、光学方 法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和 位错密度的影响规律。 在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。 结果摇 雾化抛光硅片的平均位 4 2 错密度为1.2伊10 / cm ,边沿处的位错密度小于其他区域。 在相同的工艺参数下,雾化施液CMP 的抛光 液消耗量约为传统CMP 的1/ 10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀 分散,没有出现位错排等严重缺陷。 通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。 结论 相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。 关键词:雾化施液;硅片;位错腐蚀坑;传统抛光;雾化参数 中图分类号:TG175摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2015)05鄄0129鄄07 DOI:10.16490/ ki.issn.1001鄄3660.2015.05.024 Chemical Corrosion Morphology Analysis of Dislocations of Silicon Wafer Polished by Ultrasonic Atomization CMP ZHUANGXiao鄄kai,LI Qing鄄zhong (College of Mechanical Engineering,Jiangnan University,Wuxi214122,China) ABSTRACT:ObjectiveTostudythedislocationdefectof siliconwaferwhichwaspolishedbyultrasonicatomizationchemicalme鄄 chanical polishing (CMP). MethodsThechemicaletchingmethodandopticsmethodwereusedtoanalyzethemorphology,densi鄄 ty,anddistributionofthedislocationetchpits. Besides,theinfluenceof atomizationquantityonthemorphologyanddensityofdis鄄 location was studied by single factor experiment. Then comparative experiments were conducted with traditional CMP under the 4 2 same conditions. Results The average dislocation density of the polished siliconwafer was about 1.2伊10 / cm andthe dislocation density in edge areawas lower than other areas. Besides,the di