半导体桥芯片性能影响因素的研究.pdf

火 工 品 2015年08月 INITIATORSPYROTECHNICS 2015年第4期 文章编号：1003—1480(2015)04。0013—04 半导体桥芯片性能影响因素的研究 刘忠山，刘国应 ，莫元玲 (贵州久联民爆器材发展股份有限公司，贵州 贵阳，550001) 摘 要：为解决半导体桥工程应用中出现的问题，根据半导体桥作用机理，对影响半导体桥芯片性能的因素，如 SiO层厚度、电极材料及厚度、桥区形状等进行了实验研究和分析，并提出工艺控制措施。研究结果对半导体桥芯片的 制作技术具有参考意义。 关键词：半导体桥；瞎火；性tt；影响因素 中图分类号：TJ450-3 文献标识码：B StudyontheInfluenceFactorsofSemiconductorBridgeChipProperty LIUZhong—shan，LIU Guo—ying，MO Yuan—ling (GuizhouJiulianIndustrialExplosiveMaterialsDevelopmentCo．，Ltd．，Guiyang，550001) Abstract：Aimedattheproblemsofsemiconductorbridge(SCB)applicationinnidustry,basedonhtefunctionmechanism， htepropertyinfluencefactorsofsemiconductorbridgechip，suchas Si02layerthickness，hteelectrodematerialandthickness， shapeofbridge，wereexperimentalresearchedandanalyzed,aswellashteimprovementmeasureswereproposed．Theresultsof htestudygivereferenceforhteproductiontechniqueofSCBchip． Keywords：Semi conductorbridge；Misfire；Property：Influencefactor 半导体桥 (SCB)雷管是国外20世纪80年代较 温高压等离子体；灼热的硅等离子体颗粒通过微对流 受重视的新型火工装置。SCB具有发火能量低、钝感、 运动渗入到与其相邻的药剂中，并在药剂颗粒上凝 作用时间迅速以及抗静电和电磁(射频)干扰的特点， 结，把能量传递给药剂颗粒进而诱发化学反应，使其 在军事及民爆领域均有应用。然而，半导体桥在实际 发火 。 工程应用上出现各种故 卜，如瞎火、电阻值不稳定、 1．2 半导体桥的制造工艺 发火时间延长等，本研究针对这些故障并结合SCB制 半导体桥的原材料为硅基片，厚度约0．5mm，采 造：工艺，分析了影响其性能的因素，并提出改趔椎}施。 用电子行业生产半导体的工艺制成半导体桥。首先， 将硅基片切片，再经研磨、抛光到需要的厚度和光洁 1 SCB的作用机理及制造工艺 度，并用浓硫酸清洗，去离子水冲洗烘干，用湿氧化 法在硅表面上生成二氧化硅层；接着，用低压化学气 1．1 SCB的作用机理 相沉积法 (LPCVD)在多晶硅生长炉中沉积一层硅 半导体桥雷管作用过程是：来 自储能系统的电流 膜。在硅膜材料中加入掺杂以控制多晶硅层的电阻 脉冲流经半导体桥使其加热、汽化直至击穿，形成高 率。例如，用磷使多晶硅重掺杂产生n一型材料，保证 收稿 日期：2015—04—01 作者简介