用于脉冲！强度测量的探测器详解.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 *( # %%’ # ， ， ， ?EF 1*( 0E 1 # GHI+J %%’ （ ） !%%%=#)%2%%’2*( %# 2 !#*#=%* 86B8 .CD;/68 ;/0/68 $%%’ 6J3 1 .JKL 1 ;E+ 1 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 用于脉冲 强度测量的 ， 探测器 ! # $ %’ ! ! ）） ） ） ） ! # $ 欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才 !）（清华大学工程物理系，北京 !%%%$ ） ）（西北核技术研究所，西安 ’!%%$ ） # ）（复旦大学现代物理研究所，上海 %%$## ） $ ）（中国工程物理研究院电子学研究所，绵阳 (!)%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%* ) ! %%( 采用电阻率为 — · 的高阻单晶硅材料，研制成功灵敏区尺寸为 ，耗尽层厚度 !%%%% %%%% +, (% ,, - !%%% , ! ! 的大面积厚 半导体探测器 设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统，对探测器的时间响应、灵 ./0 1 # 敏度、漏电流、 分辨等物理参数进行了测量和分析，结果表明，这类探测器可满足低强度裂变 混合场中脉冲 2 3 32 # # 强度测量的需要1 # 关键词：大面积，电流型，半导体探测器 ： %()) )$%. — · 高阻单晶硅，在国内研制成功灵 !%%%% %%%% ! +, !4 引 言 敏区面积为 (% ,,，全耗尽层厚度达- !%%% , 的