管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响摘要.PDF

山东科学 第２５卷　第３期　２０１２年６月出版 ＳＨＡＮＤＯＮＧＳＣＩＥＮＣＥ Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．３Ｊｕｎ．２０１２ ＤＯＩ：１０．３９７６／ｊ．ｉｓｓｎ．１００２－４０２６．２０１２．０３．０１２ 管式ＰＥＣＶＤ工艺对氮化硅薄膜折射率的影响 １ ２ １ １ １ １ １ １ １ 任现坤 ，马玉英 ，张黎明 ，刘鹏 ，姜言森 ，徐振华 ，贾河顺 ，程亮 ，张春艳 （１．山东力诺太阳能电力股份有限公司，山东济南２５０１０３；２．山东凯文科技职业学院，山东济南２５０２００） 摘要：折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标，是检验薄膜制备质量的重要参数，其变化直接影响太阳能电池的 转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮 化硅薄膜折射率的影响，分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。 关键词：折射率；致密性；转化效率；氮化硅；等离子增强型化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ） ＋ 中图分类号：Ｏ４８４．４１　　　文献标识码：Ａ　　　文章编号：１００２４０２６（２０１２）０３００５８０４ ＩｍｐａｃｔｏｆｔｕｂｅＰＥＣＶＤｐｒｏｃｅｓｓｏｎｔｈｅｒｅｆｒａｃｉｔｖｅｉｎｄｅｘ ｏｆｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍ １ ２ １ １ １ ＲＥＮＸｉａｎｋｕｎ，ＭＡＹｕｙｉｎｇ，ＺＨＡＮＧＬｉｍｉｎｇ，ＬＩＵＰｅｎｇ，ＪＩＡＮＧＹａｎｓｅｎ， １ １ １ １ ＸＵＺｈｅｎｈｕａ，ＪＩＡＨｅｓｈｕｎ，ＣＨＥＮＧＬｉａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｙａｎ （１．ＳｈａｎｄｏｎｇＬｉｎｕｏＳｏｌａｒＰｏｗｅｒＨｏｌｄｉｎｇｓＣｏ．Ｌｔｄ．，Ｊｉｎａｎ２５０１０３，Ｃｈｉｎａ； ２．ＳｈａｎｄｏｎｇＫａｉｗｅｎＶｏｃａｔｉｏｎａｌＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｊｉｎａｎ２５０２００，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ∶Ｒｅｆｒａｃｔｉｏｎｉｎｄｅｘｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｐａｒａｍｅｔｅｒｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇｆｉｌｍｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｄｅｎｓｉｔｙ．Ｉｔａｌｓｏｒｅｆｌｅｃｔｓｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍ，ｗｈｉｃｈｄｉｒｅｃｔｌｙａｆｆｅｃｔｓｔｈｅｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆａｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｔｈｅｉｍｐａｃｔｏｆ ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｐｏｗｅｒ，ｃｈａｍｂｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ，ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｔｈｅｒａｔｉｏｏｆｓａｌｉｎｅａｎｄａｍｍｏｎｉａｏｎｔｈｅｒｅｆｒａｃｔｉｏｎ ｉｎｄｅｘｏｆｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍｄｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎａｃＳｉｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｗｅａｎａｌｙｚｅｔｈｅｒｅａｓｏｎｔｈａｔｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘｏｆａｚｏｔｉｚｅｄｓｉｌｉｃｏｎ ｔｈｉｎｆｉｌｍｃｈａｎｇｅｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ∶ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘ；ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ；ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；Ｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅ；ＰＥＣＶＤ １　引言 等离子增强型化学气相沉积 （ＰＥＣＶＤ）技术是目前太阳能行业普遍采用的一种生长氮化硅的方法。采 用ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜，具有卓越的抗氧化性和绝缘性，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水 蒸汽扩散的能力。其化学性质稳定，除氢氟酸外，不与其它无机酸反应，抗腐蚀能