基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt

基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt

  1. 1、本文档共28页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
Exp#3 基于Cadence的电路版图绘制及验证 中国科学技术大学软件学院 Contents 芯片设计流程 版图设计 完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形 设计规则:设计者和工艺工程师之间的接口 基于Cadence的版图设计 工具:Virtuoso Layout Editor 设计规则检查 DRC 版图原理图一致性检查LVS 从版图中提取电路网表,然后将这个网表同电路原理图进行比较 版图寄生参数提取LPE 提取出包含寄生参数的spice网表,用于带有寄生参数的后仿真 CSMC双硅三铝混合信号工艺 TB:tub,n阱,作为pmos器件衬底 TO:Thin Oxide,有源区,作为mos的源漏区 GT:gate,多晶硅1,作为mos栅极 SP:P+注入区 SN:N+注入区 W1:接触孔,金属1到多晶硅和有源区的接触孔 A1:铝1,第一层金属 W2:通孔1,金属1和金属2的接触孔 A2:铝2,第二层金属 W3:通孔2,金属2和金属3的接触孔 CP:bond pad,pad开孔 IM:第二层多晶硅电阻阻挡层 PC:poly Cap,用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅 PT:p tub,p阱,作为nmos器件衬底 CSMC05MS工艺库文件 CMOS反相器版图设计与验证 版图绘制 设计规则验证DRC 指定输入输出文件 查看DRC结果并调整Layout 一致性验证LVS 一致性比对文件指定 等待并查看LVS验证结果 参数提取PEX 指定输出文件格式 Map与输出布局设定 指定提取参数与原理图中模型映射关系 生成后仿电路config图 (1)指定新文件类型 (2)获取源文件 (3)生成config图 运行后端仿真 实验报告 完成CMOS版图设计,DRC检查无误 完成LVS检查,获得正确结果 完成PEX,生成寄生参数图 完成后仿电路中CMOS反相器的DC、Trans仿真,记录结果,并与实验一比对,提交至教辅系统,截止时间 4月15日 24:00 sse.ustc.edu.cn 中国科学技术大学软件学院 版图设计流程与工艺 1 CMOS反相器版图设计 2 CMOS反相器后端仿真验证 3 电路设计 前端仿真 版图设计 后端仿真 其它 DRC Project下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节,文件归类存储 Net描述 源文件 目标文件 中国科学技术大学软件学院 * * * *

文档评论(0)

junjun37473 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档