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基于ITO替代材料的透明电极制作;ITO的概述;ITO导电膜的特性;ITO导电玻璃的分类; 3.按厚度分：2.0mm、1.1mm、0.7mm、 0.55mm、0.4mm、0.3mm等规格
4.按平整度分：抛光玻璃和普通玻璃;外观质量;使用和贮存;;制造工艺;高温喷涂和等离子体喷涂工艺：
这种技术是将粉末状金属或非金属、无机材料加热至熔化或未熔化状态，并进一步加温使其雾化，形成高温高速焰流喷向需喷涂的玻璃基体。采用这种方式可以先在基体上制备YBaGUOx等涂层，在经过热处理可成为超导性材料。;ITO替代的一些新技术;新型透明电极材料;ZnO基透明导电膜代替ITO;ZnO薄膜的制备：
1.利用脉冲激光沉积（PLD），采用的是含铝量为4%的ZnO掺Al2O3陶瓷靶
2.磁控溅射法，使用的靶材是含Al量为4％的ZnO-Al合金靶
研究内容：
1.分别采用脉冲激光沉积和磁控溅射法在GaN基LED上生长AZO(ZnO:Al)薄膜，研究分析了AZO直接用作电???扩展层不能形成欧姆接触的原因; 2.采用ITO/AZO复合薄膜来降低AZO与ｐ型GaN的接触电阻,研究了不同ITO厚度对芯片正向电压的影响,以及不同厚度AZO对芯片发光强度的影响.
结果表明AZO与ｐ型GaN并不能形成良好的欧姆接触;固定ITO厚度20nm不变,改变AZO厚度,研究了芯片光电性能随AZO厚度的变化. AZO电阻随厚度的增加而增加,AZO层太厚,芯片正向 电 压 高,而AZO太 薄则 电 流 扩 散 不 均匀.实验结果表明当ITO20nm/AZO500nm组合时,芯片光电性能最优,与当前广泛应用的ITO相当.
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