20V P 沟道增加型MOS 场效应管.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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1 2 3 9435 20VP沟道增加型 MOS场效应管 V =-20V DS R ,V @-10V,I @-2.7A=68mΩ@TYP DS(ON) gs ds R ,V @-4.5V,I @-2.7A=88mΩ@TYP DS(ON) gs ds 特点  高级的加工技术  极低的导通电阻高密度的单元设计  改良的成型工 Internal Schemaic Diagram 封装图：SOP-8 内部结构示意图 Source Gate Drain P-Channel MOSFET P-ChannelMOSFET 最大额定值和热特性 (T =25℃，除非另有说明。) A 参数符号值单位漏源电压 VDS -20 V 栅源电压 VGS ±8 漏极电流 ID - A 漏极脉冲电流 IDM -12 工作结温和存储温度范围 T ,T -55to 150 ℃ J stg 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 1 2 第页共页 1 2 3 9435