第1章汽车电工电子.ppt

电阻的单位为欧姆（Ω），简称欧。 是用阿拉伯数字和单位符号在电阻器表面直接标出标称 阻值。 将万用表（数字式或指针式）两表笔(不分正负)分别与 电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。 （1） 热敏电阻 （2） 压敏电阻 （3） 光敏电阻 完全纯净、原子结构排列整齐的半导体称为本征半导体。 （2） P型半导体 当开关S断开时，由于电流的突然中断，电感L将产生一个高于电源电压很多倍的自感电动势eL， eL与U叠加作用于开关S上，使开关S的寿命缩短。 二极管D的接入，使eL通过二极管产生放电电流以释放能量，从而保护了开关S。 （4）续流 在电子线路中，经常利用二极管来保护其他元器件免受过高电压的损害。下图所示电路是利用二极管来保护开关S的保护电路。 ? 1.2.2 二极管 5．特殊二极管及其应用 （1）稳压二极管 a) 符号 b) 伏安特性 工作在反向 击穿状态 一种将电能直接转换成光能的固体器件。 （2）发光二极管（LED —— Light Emitting Diode） LED也是由一个PN结组成的，当正向导通时可以发出一定波长的可见光，常有红、绿、黄等颜色。 也有可以发出红外光等不可见光的发光二极管。 一般LED的工作电流为几十mA，正向导通压降为（1?2)V，安全使用电压应选择5V以下。 （3）光敏二极管 a) 结构 b) 符号 ? 1.2.3 晶体管 1．晶体管的结构和符号 （1）结构 三区 三极 两结 集电区 基区 发射区 集电极 Collector 基极 Base 发射极 Emitter 集电结 发射结 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 NPN 型 E C B — 集电区 — 发射区 P P N PNP型 （2）符号 ? 1.2.3 晶体管 2．晶体管的分类 按材料分 按频率特性分 按功率分 硅管 锗管 高频管 低频管 大功率管 中功率管 小功率管 按结构分 NPN管 PNP管 ? 3．晶体管的电流分配和放大原理 （1）晶体管放大条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 （2）载流子的传输过程 下面以NPN管为例讨论三极管的电流分配与放大作用，所得结论一样适用于PNP三极管。 使发射结正偏 使集电结反偏 1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。 IE 2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。 IB 3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。 IC 综上所述，得到三极管的电流分配关系： 1）IE=IC+IB 2）IC=βIB 3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 三极管中还有一些少子电流，比如ICBO ，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。 （3）电流分配关系 ? 1.2.3 晶体管 4．晶体管的特性曲线 因为三极管有三个电极，因此分别将三极管的三个电极作为输入端、输出端和公共端，有三种不同的三极管放大电路的组成方式。 根据公共电极的不同，分别叫做共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。 下图是测试三极管共发射极电路伏安特性曲线的电路图： uCE≧1V，集电结反偏，电场足以将发射区扩散到基区的载流子吸收到集电区形成IC，uCE 再增大曲线也几乎不变 死区电压与导通电压UBE 硅管分别约为0.5V和0.7V 锗管分别约为0.1V和0.3V （1）输入特性曲线 （1）截止区——iB=0曲线以下的区域： iC= ICEO ≈ 0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关； 放 大 区 截止区 ICEO 饱 和 区 （2）放大区——在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分： iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=βiB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 uCE /V iC / mA 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 2 4 6 8 10 25 20 15 10 5 （3）饱和区——输出特性曲线近似直线上升部分： 三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。 （2）输出特性曲线 ? 1.2.3 晶体管 5．晶体管的主要参数 （2）集-射极反向穿透电流 （1）电