第09章-二极管和晶体管案例.ppt

电工电子学下篇-电子技术 电子技术是把电子元器件组成的电子电路应用到科学、技术、生产、生活各领域的应用技术，电子电路是信息社会产生、传送、处理信号的硬件载体。 IC Technology Revolution Invention of the Transistor 1947: first point contact transistor at Bell Labs The First Integrated Circuit 1966: ECL 3-Input gate at Motorola High Performance Processors 2001: Intel Pentium Microprocessor 42 M transistors, 1.5 GHz operation CMOS, Low power 电工电子学下篇-电子技术 第9章 二极管和晶体管 第10章 基本放大电路 第11章 运算放大器 第12章 直流稳压电源 第13章 门电路和组合逻辑电路 第14章 触发器和时序逻辑电路 第15章 模拟量和数字量转换 9.2.1 伏安特性 9.3 稳压二极管 3. 主要参数 9.3 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数? 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 4. 稳压原理 ~ + — U0 RL + C + — Ui Dz Iz Io I R 当电源波动或负载电流的变化引起Uo变化时 Uo? ? Uz? ? Iz? ? ? I? =(Iz+Io ) ? UR? Uo ? =Ui—UR 限流电阻必有，起到电压调节作用和保护作用。 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 例9.3.1 求通过稳压二极管的电流IZ？R是限流电阻，其阻值合适否？ IZ DZ R=1.6kΩ +20V UZ =12V IZM =18mA 解: IZIZM, 电阻值合适 V0 使用时要加限流电阻 9.4 晶体管 9.4.1 基本结构 9.4.2 电流分配和放大原理 9.4.3 特性曲线 9.4.4 主要参数 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极C 基极B 发射极E N N+ P E C B 符号 9.4.1 基本结构 9.4 晶体管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P+ N 2. PNP型三极管 晶体管-半导体三极管 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有 电流放大功能的元件 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 9.4.2 电流分配和放大原理 三极管具有电流控制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UCB 0 UBE 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UBC 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB N N P 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB E B C 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 发射结正偏，发射区