- 1、本文档共73页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2. 立式高温炉:节约净化室面积、提高自动化处理水平 2.6 氧化设备 立式高温炉系统 2.6 氧化设备 3. 快速升温炉 传统立式炉与快速升温立式炉的温度曲线对比 2.6 氧化设备 升温速率:15 ℃/min 降温速率:5 ℃/min 升温速率:100℃/min 降温速率:60 ℃/min 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统 2.6 氧化设备 高温炉的组成: 2.7 快速热处理 快速热处理(RTA)是在非常短的时间内(几分之一秒)将单个硅片加热至400~1300℃温度范围的一种方法。 RTA的优点: 1.减少热预算(硅工艺过程中需要的热能:温度*时间) 2.硅中杂质运动最小 3.冷壁加热减少沾污 4.腔体小气氛洁净 5.更短的加工时间 RTA的应用: 1.离子注入退火,以减小注入损伤和电激活杂质 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃(BPSG)回流 4.阻挡层退火(如TiN) 5.硅化物形成(如TiSi2) 6.接触合金 2.7 快速热处理 RTP系统: 2.7 快速热处理 第二章习题 书中第十章 8、18、24、25、47 已知线性-抛物线性模型为:t2ox+Atox=B(t + τ)。其中,tox为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm2/h);B/A为线性速率系数(μm/h);τ为生成初始氧化层所用的时间(h)。假如硅片在初始状态时已有100nm的氧化层。计算 (1) 在120分钟内,920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的厚度。(2) 在120分钟,920℃水汽氧化过程中所消耗的硅的厚度是多少?已知:在920℃水汽氧化条件下,A=0.50μm,B=0.20μm2/h。 第二章作业 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 自然氧化层一般小于5nm,cross section HR-TEM表征的结果。 * 在加热和冷却过程中,氧化硅与硅有同步的膨胀与收缩,因此,氧化硅可以完美的附着在硅片表面。 * Nsi*x=Nsio2*x0;Nsi=5*10^22cm^3, Nsio2=2.2*10^22cm^3;x=0.445x0 * * 都是一种非破坏性的方法。 * 参见P157;CV测试系统中具有加热加偏压装置,目的是用来驱使沾污离子电荷的移动;在沾污离子电荷移动前后分别测得CV曲线,两根曲线之间存在一个电压差,依据电压差计算出沾污离子电荷的数量。 * 提高效率,减小热预算 * * 2.2 氧化原理 湿氧氧化:Si + H2O +O2 → SiO2+H2 水汽氧化:Si + H2O → SiO2 + H2 湿氧氧化:Si + H2O +O2 → SiO2+H2 2.2 氧化原理 H2 +O2 → H2O 氢氧合成工艺 氢氧合成产生水分子代替去离子水加热产生水分子 2.2 氧化原理 气体流量比很重要! 氧化 水温 氧化 速率 均匀性 重复性 结构 掩蔽性 干氧 氧化 慢 好 致密 好 水汽 氧化 100 ℃ 最快 差 疏松 较差 湿氧 氧化 95 ℃ 快 较好 适中 基本 满足 2.2 氧化原理 三种热氧化层质量对比: 氧化前 氧化后 氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的45%左右 2.2 氧化原理 6.氧化消耗硅 2.3 SiO2在集成电路中的用途 1. MOS结构的电介质层 2. 限制带电载流子的场区隔离 3. 保护器件以免划伤和离子沾污 4. 掺杂过程中的注入阻挡层 5. 减小氮化硅与下层之间应力的垫氧化层 6. 减小注入损伤及沟道效应的注入屏蔽氧化层 7. 导电金属之间的层间介质 1. 栅氧化层:用做MOS晶体管栅和源漏衬底之间的电介质层 注:用热氧化生长方法形成 2.3 SiO2在集成电路中的用途 2. 场氧化层:用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 (1) 浅槽隔离STI:Shallow Trench Isolation 注:用CVD淀积方法形成 厚度2500-15000 ? 2.3 SiO2在集成电路中的用途 厚度2500-15000 ? (2) 硅局域氧化LOCOS/选择性氧化 注:使用干湿
您可能关注的文档
- 电子背散射衍射(EBSD)入门简介介绍.ppt
- 电子测量第4章时间与频率测量介绍.ppt
- 第6章图文混排案例.ppt
- 电子测量第9章信号和频谱测量介绍.ppt
- 电子测量与仪器第七章频率和时间测量及仪器1介绍.ppt
- 第6章图像编码案例.ppt
- 电子产品高可靠性装联工艺下介绍.ppt
- 电子产品工艺3介绍.ppt
- 第6章图与网络案例.ppt
- 电子产品工艺11介绍.ppt
- 必修一Unit2SectionIIDiscoveringUsefulStructures(导学案).docx
- 全国浙教版信息技术高中必修1新6.2网页制作教学设计.docx
- Unit5WhatdoyoudoonSaturdays(课件)湘鲁版英语四年级下册(1).pptx
- 中国古代的美术文化与艺术品赏析.pptx
- (含答案)法拉第电磁感应定律、公式E=Blv的使用解析-共13页.pdf
- Unit2GreetingsPartBLuo(课件)闽教版英语三年级上册.pptx
- Module5Cartoons重点知识点提升训练八年级英语下册.docx
- Unit6HappybirthdayLettersandsounds(课件)人教PEP版英语三年级上册(精)3.pptx
- (精品)018人教版五年级数学下册全套单元测试题及答案-(1)108.pdf
- Unit2OutofthisworldExtendedReading语言点课件高中英语译林版(2020)选择性.pptx
文档评论(0)