第7章_晶体管及其放大电路案例.ppt

第7章 晶体管及其放大电路;7.1.1 晶体管的结构;2、PNP型晶体管的结构和电路符号 ;7.1.2 晶体管的工作原理 ;（2）载流子在基区中的扩散与复合;（3）集电区收集载流子 ; 2.电流控制作用 ;即共基极交流放大系数 近似等于共基极直流电流放大系数;7.1.3 晶体管的伏安特性 ;2.输出特性曲线;(2)饱和区（Saturation region） ;PNP型晶体管的特性如图7.1.7所示 ;7.1.4 晶体管的主要参数;3.极限参数;（3）集电极最大允许耗散功率PCM;7.1.5 温度对晶体管的特性与参数的影响 ;（3）温度对输入特性的影响;7.2 放大电路的直流偏置;2．晶体管的分段线性模型;3．静态工作点的计算;3．静态工作点的计算;4．基本偏置电路的缺点;7.2.2 电流串联负反馈偏置电路;静态工作点计算：; 7.2.3 电压并联负反馈偏置电路;静态工作点计算：;直接耦合;7.3.1 信号的耦合方式;直接耦合放大电路中的零点漂移问题;2）产生零点漂移的原因;4）抑制零点漂移的方法;2. 电容耦合 ;7.3.2 晶体管的低频小信号模型;在静态工作点附近，微分量的系数是常数。令;2.h参数的物理意义;hfe是晶体管输出端交流短路（vCE=VCE→vce=0）时的正向电流传输系数（无量纲），等于电流放大系数?，约为102量级。;3.小信号模型的简化和参数的确定;rbe的计算：;7.3.3 放大电路的小信号分析;以电容耦合共射极放大电路为例阐述分析步骤。 ;在交流通路中用简化小信号模型替代晶体管，得到小信号等效电路如下：;（2） 放大电路的参数计算;（2） 放大电路的参数计算;（2） 放大电路的参数计算;（3） 电压放大模型;例7.3 共射极放大电路如图7.3.7（a）所示。已知：晶体管是硅管，其β=50；VCC=12V，Rb1=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=3kΩ，Re=2kΩ；C1= C1=10μF；vs=sinωt=sin2000πt，Rs=0.5kΩ；RL=12kΩ。试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻；画出vs、vB、vC和vo的波形。;（3）小信号等效电路 ;（5）画出vs、vB、vC和vo的波形;例7.4 共射极放大电路如图所示。已知：晶体管是硅管，其β=50；VCC=12V，Rb1=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=3kΩ，Re=2kΩ，Rs=0.5kΩ，RL=12kΩ。假设电容足够大，试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻。;7.3.4 放大电路的大信号分析;2.晶体管的电压和电流波形 ;3.最大不失真输出幅度;4.非线性失真(以NPN型管为例);7.3.5 放大电路的组成原则;7.4 共集电极和共基极放大电路;2．动态分析 ;2．动态分析 ;2．动态分析 ;7.4.2 共基极放大电路; 2．动态分析 ;（2）电压增益Av;（3）输出电阻Ro;7.4.3 晶体管三种放大电路的比较;2.共射、共基、共集电路比较;放大电路三种基本组态的比较表 ;7.5组合放大电路;2.动态分析;2.动态分析;2.动态分析;7.5.2 共集-共集组合放大电路;1．四种复合管 ;（2）复合管的主要参数;（2）复合管的主要参数;2．共集－共集放大电路的动态参数;7.6放大电路的频率响应***;7.6.1 晶体管的高频小信号模型和频率参数;忽略re和rc，得到晶体管的高频小信号模型：;2．混合π形模型的简化;混合π模型的单向化处理：;简化的混合π形模型;单向化后的混合π模型;3．混合π形模型参数与h参数的关系;7.6.2 晶体管的频率参数;计算电流放大系数;考虑到 ;由 的幅频特性和相频特性表达式： ;利用;7.6.3 共射极放大电路的频率响应;共射放大电路和全频段小信号等效电路： ;上式中，;2．高频电压增益 ;共射放大电路高频段小信号等效电路： ;则高频电压增益： ;3．低频电压增益; 由完全等效图直接来求低频电压增益表达式会比较麻烦，因此，需要作一些合理的近似。 ;式中， ;;令： ;4．共射放大电路的全频域响应;当ffL时，是频率响应的低频区，;当ffH时，是频率响应的高频区，;5．增益带宽积;例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益及上限频率和下限频率。;例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是