华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH04-3.ppt

例4.7.1 2. 动态分析 根据 小信号等效电路 电压增益 可求得 gm 2. 动态分析 源电压增益 输入电阻 输出电阻就是后一级共漏电路的输出电阻 (?2 = 0) 例4.7.1 4.7.2 共源?共栅放大电路 华中科技大学电信系 张林 例4.7.2 1. 静态分析 直流通路 需验证是否工作在饱和区 1. 静态分析 假设工作在饱和区 例4.7.2 例4.7.2 2. 动态分析 小信号等效电路 电压增益 2. 动态分析 输入电阻 输出电阻 Ro ? Rd2 (?2 = 0) 例4.7.2 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 4.8.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 4.8.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 4.8.1 JFET的结构和工作原理 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 4.8.1 JFET的结构和工作原理 ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 综上分析可知 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 (VP≤vGS≤0) 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 与MOSFET类似 3. 主要参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET小信号模型 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （1）静态工作点 与MOSFET类似 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （2）动态指标 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 电压增益 忽略 rds 由输入输出回路得 则 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （2）动态指标 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 输入电阻 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （2）动态指标 输出电阻 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 砷化镓（GaAs）是由Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，是一种新型半导体材料。 GaAs的电子迁移率比硅约大5～10倍，比硅器件转换速度快很多。 高速砷化镓三极管广泛用于微波电路、高频放大和高速数字逻辑器件中。 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 1. 结构 N沟道金属-半导体场效应管（MESFET） *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 2. 特性 MESFET特性与JFET类似，属耗尽型FET 截止区（vGS＜VPN）： iD＝0 可变电阻区（ vDS ≤ vGS －VPN）： 饱和区（vDS ＞ vGS －VPN）： 沟道长度调制参数?通常为（0.05～0.2）V-1 N沟道MESFET夹断电压VPN的典型值为（－0.5～－2.5）V 4.10 各种FET的特性及使用注意事项 1. 各种FET的特性比较 2. 使用注意事项 1. 各种FET的特性比较 见表4.10.1 2. 使用注意事项 （1）在MOS管中，有的产品将衬底引出（这种管子有四个管脚），使用者可视需要进行连接。一般P衬底接低电位，N衬底接高电位。也可