原边反馈外置MOS茂捷M5832兼容OB2532.doc

描述 M5832应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式脉宽调制控制器。该芯片是一款基于原边检测和调整的控制器，因此在应用时无需TL431和光耦。芯片内置了 恒流/恒压两种控制方式，其典型的控制曲线如图1所示。在恒流控制时，恒流值和输出功率可以通过SEN引脚的限流电阻RS设定。在恒压控制时，芯片在INV脚采样辅助绕组的电压，进而调整输出。在恒压控制时还采用了多种模式的控制方式，这样既保证了芯片的高性能和高精度，又保证了高效率。此外，通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。 典型应用图 特征 应用 适用于中小功率AC/DC离线式开关电源 手机/数码摄像机充电器 小功率电源适配器 电脑和电视机的辅助电源 替代线性调节器或RCC 管脚 描述 GND 芯片接地脚 DRV 驱动输出，外接MOS栅极 SEN 环路补偿引脚 INV 电感电流过零检测引脚，同时也是输出过压保护、输出短路保护检测和线电压补偿调整引脚 COM 恒压模式的环路补偿 VDD 芯片电源供电引脚 引脚功能描述 极限参数 项目 值 单位 最小值 最大值 VDD电压 -0.3 VDD_clamp V VDD箝位的连续电流 10 mA COM电压 -0.3 7 V SEN电压 -0.3 7 V INV电压 -0.3 7 V 焊接温度（焊接，10秒） 260 ℃ 工作温度 -40 105 ℃ 储存温度 -40 150 ℃ 最大工作 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。 芯片框图 应用信息 描述 M5832是一款低成本、高性价比的脉宽调制控制器，适用于离线式小功率AC/DC电池充电器和电源适配器。它采用原边控制方式，因此不需要TL431和光耦。M5832应用于工作在非连续模式下的反激式系统中，内置的次级恒压采样电路能够提供高精度恒流/恒压控制，很好地满足大多数电源适配器和充电器的要求。 启动 M5832供电电源端是VDD。启动电阻提供了从高压端到VDD旁路电容的直流通路，为芯片提供启动电流。M5832的启动电流小于20uA，因此VDD能够很快被充到UVLO（off）以上，从而使芯片快速启动并开始工作。采用较大的启动电阻可以减小整机的待机功耗。一旦VDD超过UVLO（off），芯片就进入软启动状态，使M5832的峰值电流电压逐渐从0V增加到0.9V，用以减轻在启动时对电路元件的冲击。VDD的旁路电容一直为芯片提供供电直到输出电压足够高以至于能够支撑VDD通过辅助绕组供电为止。 恒流工作 M5832的恒压/恒流特征曲线如图1所示。M5832被设计应用于工作在非连续模式下的反激式系统中。在正常工作时，当INV电压低于内部2.0V的基准电压好时，系统工作在恒流模式，否则系统工作在恒压模式。当次级输出电流达到了系统设定的最大电流时，系统就进入恒流模式，并且会引起输出电压的下降。随着输出电压的下降，反馈电压也跟着下降，芯片内部的VCO将会调整开关的频率，以使输出功率保持和输出电压成正比，其结果就是使输出电流保持恒定。这就是恒流的原理。在恒流模式下，无论输出电压如何变化，输出电流为一常数。M5832中,恒流值和最大输出功率可以通过外部的限流电阻RS来设定。输出功率的大小随着恒流值的变化而变化。RS越大，恒流值就越小，输出功率也越小；RS越小，恒流值就越大，输出功率也越大。具体参照图2所示。 恒压工作 在恒压控制时，M5832利用辅助绕组通过电阻分压器从INV采样输出电压，并将采样的输出电压与芯片内部的基准电压通过误差放大器进行比较放大，从而调整输出电压。当采样电压高于内部基准电压，误差放大器的输出电压COM减小，从而减小开关占空比；当采样电压低于内部基准电压时，误差放大器的输出电压COM增加，从而增大开关占空比，通过这种方式稳定输出电压。在作为AC/DC电源应用时，正常工作时芯片处于恒压状态。在恒压模式下，系统输出电压通过原边进行控制。为了实现M5832的恒流/恒压控制，系统必须工作在反激式系统的非连续模式。（参照典型应用电路）在非连续模式的反激式转换器中，输出电压能够通过辅助绕组来设定。当功率MOSFET导通时，负载电流由输出滤波电容CO提供，原边电流呈斜坡上升，系统将能量存储在变压器的磁芯中，当功率MOSFET关断时，存储在变压器磁芯中的能量传递到输出。 此时辅助绕组反射输出电压，具体如图3所示，计算公式如下： 其中?V是指整流二极管上的压降 通过一个电阻分压器连接到辅助绕组和INV之间，这样，通过芯片内部的控制算法，辅助组上的电压在去磁结束时被采样并保持，直至下一次