四探针电阻率(单晶硅电阻测量仪)new剖析.doc

XH-2四探针电阻率测试仪 （单晶硅电阻测试仪） 使 用 说 明 书 北京羲和阳光科技发展有限公司 2009.3 1、概述 四探针电阻率测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。 本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。 2、测试仪结构及工作原理 测试仪主机由主机板、电源板、前面板、后背板、机箱组成。电压表、电流表、四探针头连接插座均装在前面板上。后背板上只装有电源插座、电源开关。 测试仪的基本原理仍然是恒流给探针头（1、4探针）提供稳定的测量电流I（由DVM1监测），探针头（2、3）探针测取电位差V（由DVM2测量），由下式即可计算出材料的电阻率： 对于厚度≤4mm的样片均可按上式计处。 式中：V——DVM1的读数，mV。 I——DVM2的读数，mA。 W——被测样片的厚度值以cm为单位。 F（W/S）——厚度修正系数，数值可查附录二。 F（S/D）——直径修正系数，数值可查附录三。 Fsp——探针间距修正系数。 Ft——温度修正系数，数值可查附录一。 由于本机中已有小数点处理环节，因此使用人无需再考虑电流、电压的单位问题。本套仪器使用专用软件进行数据采集,可实现自动换向测量、存储,求平均值，最大值、最小值、最大百分变化率、平均百分变化率等内容。×380×160（单位：mm 长度×宽度×高度） 附录1.1 温度修正系数表 ρT = FT *ρ23 标称电阻率 Ω.cm 温度 FT oC 0.005 0.01 0.1 1 5 10 10 0.9768 0.9969 0.9550 0.9097 0.9010 0.9010 12 0.9803 0.9970 0.9617 0.9232 0.9157 0.9140 14 0.9838 0.9972 0.9680 0.9370 0.9302 0.9290 16 0.9873 0.9975 0.9747 0.9502 0.9450 0.9440 18 0.9908 0.9984 0.9815 0.9635 0.9600 0.9596 20 0.9943 0.9986 0.9890 0.9785 0.9760 0.9758 22 0.9982 0.9999 0.9962 0.9927 0.9920 0.9920 23 1.0000 1.0000 1.0000 1.0000 1.0000 1.0000 24 1.0016 1.0003 1.0037 1.0075 1.0080 1.0080 26 1.0045 1.0009 1.0107 1.0222 1.0240 1.0248 28 1.0086 1.0016 1.0187 1.0365 1.0400 1.0410 30 1.0121 1.0028 1.0252 1.0524 1.0570 1.0606 注 ：① 温度修正系数表的数据来源于中国计量科学研究院。 附录1.2 温度修正系数表(续1) ρT = FT *ρ23 标称电阻率 Ω.cm 温度 FT oC 25 (17.5—49.9) 75 (50.0—127.49) 180 (127.5—214.9) 250/500/1000 ( ≥ 215 ) 10 0.9020 0.9012 0.9006 0.8921 12 0.9138 0.9138 0.9140 0.9087 14 0.9275 0.9275 0.9278 0.9253 16 0.9422 0.9425 0.9428 0.9419 18 0.9582 0.9580 0.9582 0.9585 20 0.9748 0.9750 0.9750 0.9751 22 0.9915 0.9920 0.9922 0.9919 23 1.0000 1.0000 1.0000 1.0000 24 1.0078 1.0080 1.0082 1.0083 26 1.0248 1.0251 1.0252 1.0249 28 1.0440 1.0428 1.0414 1.0415 30 1.