金属-半导体接触势垒高度理论计算X.pdf

第23卷　第4期 固体电子学研究与进展 V o l. 23,N o. 4 　　　　　　　　 　　　　　　　　 2003 年 11 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE N ov. , 2003 金属- 半导体接触势垒高度的理论计算 李书平　王仁智　蔡淑惠 ( 厦门大学物理系, 厦门, 361005) 收稿,收改稿 摘要: 采用平均键能作为参考能级计算了十种金属半导体接触势垒高度, 其计算结果与实验值的符合程度 不亚于 和 ¨ 所采用的电中性能级方法, 计算结果表明平均键能方法和 提出的电中性能级 T ersoff M o nch T ersoff 方法一样, 可作为金属半导体接触势垒高度的一种理论计算方法。 关键词: 势垒高度; 平均键能方法; 费米能级 中图分类号: O 471 5　　文献标识码:A 　　文章编号:(2003) 0441204 Theoretical Calculation of Barr ier He ight of - M etal sem iconductor Con tacts 　 　 L I Shup ing W AN G R enzh i CA I Shuhu i ( . . , . , , 361005, ) D ep t of P hy s X iam en U niv X iam en CH N : , Abstract T aken the average bond energy as the reference level ten barrier heigh ts of m et . al sem iconducto r con tacts are calcu lated T he co inciden t degree of ou r calcu lational values and , experim en tal values is no t less than that of charge neu trality po in t m ethod adop ted by T ersoff ¨ .