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第五章
刻 蚀
Semiconductor Manufacturing Basic 刻蚀
前言
刻 蚀 刻蚀过程
1. 前言 光刻胶
2. 理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识 多晶Si
3. 干法刻蚀原理和设备 光 刻 Al合金
·干法刻蚀机理/各向异性刻蚀机理 SiO 等
2
·干法刻蚀设备
·高密度等离子体的必要性和设备
4. LSI工艺用干法刻蚀的应用与挑战 刻 蚀 除去光刻胶没有
遮盖的不需要的
·干法刻蚀要求的特性 部分薄膜
·各种材料的刻蚀和有关问题
·干法刻蚀引起的损伤
·相应的环境问题 清除光刻胶,只留下薄
灰 化 膜的电路图形
5. 灰化
6. 结语
259 260
前言 前言
各向同性刻蚀和各向异性刻蚀 用各向同性刻蚀的微细加工
◆各向同性刻蚀（isotropic etching）
在所有方向以相同速度进行的刻蚀 在一个大图形
掩膜下会产生侧向侵蚀情况 中底蚀可以忽
◆各向异性刻蚀（anisotropic etching） 略不计
非各向同性刻蚀的情况
通常是指产生垂直侧壁的刻蚀情况
用干法刻蚀可以实现各向异性 微细图形中底
化学刻蚀是各向同性的 蚀不能忽视
各向同性 各向异性
有底蚀时无法
分辨掩膜下的
侧向侵蚀
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