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半导体器件原理
主讲人：蒋玉龙
本部微电子学楼312室
Email: yljiang@
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第二章双极型晶体管
2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布
2.2 电流放大原理
2.3 直流特性
2.4 反向特性
2.5 晶体管的模型
2.6 频率特性
2.7 开关特性
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2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布1
2.1.1 晶体管的基本结构
发射区基区 集电区 发射区基区 集电区
E C E C
+ +
n p n p n p
B B
E C
E C
B
B
npn pnp
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2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布2
2.1.2 制造工艺
合金管 平面管
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2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布3
2.1.3 杂质分布
均匀基区 缓变基区
自建电场
基区内载流
扩散 子传输方式 扩散 + 漂移
扩散型晶体管 漂移型晶体管
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第二章双极型晶体管
2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布
2.2 电流放大原理
2.3 直流特性
2.4 反向特性
2.5 晶体管的模型
2.6 频率特性
2.7 开关特性
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