第十章 半导体器件物理课件3.pdf

章节 第一章 引言 第二章 半导体器件物理基础 第三章 MOS FET 基本结构和原理 第四章 近代MOS 器件物理 第五章 存储器件基础（不挥发挥发） 第六章 异质结的基本特性和应用 第七章 SOI 结构和SOI CMOS 器件 第八章 纳米尺度器件及芯片加工技术 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.03 Fudan University 第三章 MOS FET 基本结构和原理 •MOSFET 的结构和工作原理 •MOSFET 的阈值电压 阈值电压的表达式， 各种参数对与阈值电压的 •MOSFET 的直流特性影响。 •MOSFET 的频率特性 •MOSFET 的开关特性 •MOSFET 的功率特性 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.03 Fudan University Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.03 Fudan University MOSFET versus BJT MOSFET BJT 电场调节作用 少子注入 扩散 收集 （E    ID ） 多子作用（多子器件） 少子作用（少子器件） 一种载流子（单极） 两种载流子（双极） 输入阻抗高 输入阻抗低 （MOS  绝缘体 109 ） （pn 结正偏，共射~ k） 电压控制器件 电流控制器件 噪声低，抗辐射能力强 ~ 少子 ~ Nit 工艺要求高（~ Qss ） 工艺要求低 频率范围小，功耗低 高频，大功率 集成度高 集成度低 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.03 Fudan University 场效应管发展历史 提出FET 的概念 J. E. Lilienfeld （1930 专利） O. Heil （1939 专利） 结型FET研制成功 Schockley （1953） 表面场效应晶体管 （1962年前后） - 平面工艺发展，SiO2作为掩蔽和钝化 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.03 Fudan Un