第十章 半导体设备工艺简介.ppt

14.裂片机 技术指标： 4英寸以下劈裂 工艺特点： 1.配备影像识别，支持全自动功能，操作更加简单 2.同轴CCD视觉系统，支持视野观察晶片； 示例： 15.激光剥离机 设备简介： 厂商：美国JPSA 型号：IX-200 工作原理： KF准分子激光产生248nm紫外激光,该种波长的光能透过蓝宝石照射到GaN缓冲层上被吸收，导致GaN缓冲层温度瞬间升高至达到分解的条件，生产氮气和镓。 用途： 主要对基于蓝宝石衬底的GaN外延片进行蓝宝石衬底的剥离，能对样品进行紫外激光照射处理等。 15.激光剥离机 技术指标： 1.管芯隔离后2寸wafer，10min可实现剥离; 2.2寸整片剥离需40min 工艺特点： 可实现单颗管芯或者整片剥离 示例： 16.键合机 设备简介： 厂商：台湾聚昌 型号：Tbon 100 工作原理： 真空下，通过加温，加压使两个wafer界面紧密贴合，界面两边的金属经过一定时间的互扩散后形成两个wafer的键合。 用途： 本设备专门用于wafer 键合，可实现两个分离的基片相结合。 中国科学院半导体研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式 中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介 2014-3-3 按实际月份、日期填写 半导体照明研发中心简介 “中国科学院半导体照明研发中心”，拥有 1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成 投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封 装测试完整的研发工艺线。 “中心”组建了强有力 的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副 高职称研究员和近30余名工程技术人员组成；并与美、日、德等国建立了国际合作关系，聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关系。 设备名录 光刻机 2.微波式打胶机 3.化学清洗工作台 4.感应耦合等离子刻蚀机ICP 5.等离子体增强化学气相沉积PECVD 7.电子束蒸发台（金属） 8.电子束蒸发台（ITO） 9.电镀台 10.快速合金炉 11.石墨烯生长系统 12.台阶仪 13.激光晶圆划片设备 14.裂片机 15.激光剥离机 16.键合机 17.水平减薄机 18.单面研磨机 6.光学镀膜系统 20.LED自动分选机 19.LED全光功率测试系统 设备简介： 厂商：美国ABM公司， 型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M型 1.光刻机 工作原理： 将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上 用途： 光刻胶的图形化。 技术指标： 1.365 nm(波长) 输出光强---约18-20 mW/cm2; 2.400 nm(波长) 输出光强---约35-40 mW/cm2; 3.曝光有效范围:4英寸直径; 4.曝光精度： 硬接触模式1微米,软接触1.5微米; 接近式（20um）2微米,接近式（50um）3微米 工艺特点： 1.卓越的曝光面内均一性: 2.误差小于±1% 于 2 英寸曝光范围内; 3.误差小于±2% 于 4 英寸曝光范围内; 4.具备高性能消除衍射涂层光学系统; 5.双通道光强度控制系统; 6.实时动态显示（通过CCD直接在显示器上显示） 1.光刻机 方孔边长4.62um 圆孔直径1.05um 示例： 1.光刻机 2.微波式打胶机 设备简介： 厂商：德国PVA-TePla-AG 型号： 310 M 工作原理： 通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。 用途： 光刻胶或其他有机物的去除。 技术指标： 1.等离子体室：石英，直径245mm，深380mm;　　2.等离子体发生器：微波频率2.45GHz，最大1.000瓦，可变功率 工艺特点： 1.微波等离子体廉价、易于使用、高度活性、高效，且不会对电子装置产生 损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室; 2.可以进行普通光刻胶灰化、SU8灰化; 3.适合于光刻胶显影底膜的去除。 2.微波式打胶机 3.化学清洗工作台 设备简介： 厂商：坤杰精密自动化设备有限公司