Dicing Tape及 Die Saw 制程.doc

Dicing Tape与 Die Saw 制程 一般在切割（DIE SAW）的过程中最容易发生问题的地方有二个，Free Dice 和 Chipping 。 Free Dice Free Dice发生的原因： 粘着面不清洁。 TAPE 与被粘着面粘力不足。 粘着面不清洁的解决方法： 一般使用者遇到Free Dice的问题时，通常都只考虑到粘力不足，不常考虑到Wafer back surface与 Substrate 贴合面的状态，清洗贴合面有助于增加Tape的贴合面，通常使用的清洗方法大致有两种： 超声波清洗。 电将清洗。 TAPE 与被粘着面粘力不足 通常粘力=（Tape与Die的接触面积）×（Tape对Wafer或Substrate背面的粘度） 所以当Die越小，或是Tape粘度低时会产生Free Dice的机会说越多。 针对Free Dice的解决方法： 选用粘度较大而unwinding force 又不太高的Tape。 增加Tape与Die背面的接触面积（MOUNT 之后CURE）。 为了增加Tape与Wafer的接触面积，可分为Pre-cure（预热）与MOUNT 之后烘烤两种，Pre-cure主要是在MOUNT之前利用Wafer Chuck Table加温，达到Tape MOUNT到Wafer时Tape的胶层稍微软化，达到较好的贴合效果。 MOUNT之后的烘烤，主要是Pre-cure的效果没有达到的需要的粘力，所以用此方法，预防在Die Saw过程中发生Free Dice现象。 TAPE 的化学特性 Wafer由于在Back Grinding后有TTV值的存在，表示并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使胶层软化，以达到填充 Wafer Back Side 的微小凹面，使Tape与Wafer Back Side的接触面增加，以达到增加粘力的效果。 Adhesion(gf/20cm) A’ 120 A B 23 60 Temperature(℃) 由图可知，当胶层温度由23℃上升到60℃时（由A到B），胶层的粘度变小，但胶的流动性变大，使胶层比较容易渗入不平整的Wafer背面，以增加接触面积，当Wafer要Saw之前，胶层又回到原来的温度（B到A’），因为胶对温度的变化是一种不可逆的过程，所以A不等于A’。 烘烤前Tape与Wafer的粘力=（A的粘度）×（烘烤前Tape与Wafer的接触面积） 烘烤后Tape与Wafer的粘力=（A’的粘度）×（烘烤前Tape与Wafer的接触面积） 由于并非长时间烘烤，所以A的粘度与A’的粘度并不会大幅改变，主要改变粘力的因素在于Tape与Wafer的接触面积的增加。 Tape与Wafer的接触面积（%） 100% 60℃热源烘烤曲线 50℃热源烘烤曲线 1 2 3 4 5 烘烤时间（min） 用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，当Tape Mount到Si Wafer的Back Side后以60 ℃热源烘烤三分钟其Tape与 Wafer的接触面积已经达到80%以上，此时若再继续烘烤十分钟最多增加10%，所以我们可以得出结论，虽然烤的越久，Tape与 Wafer的接触面积增加越多所以越粘，但后面的烘烤时间也会越没效率。 烘烤的缺点： 烘烤的目的就是要增加粘性，对解决Free Dice而言当然越粘越好，但对于Die Bond而言， Tape越粘，顶针的力量就越大，对 Wafer 背面留下的伤痕的机会也越大，所以建议您使用Dicing Tape时，如果 Dice的尺寸小于2mm×2mm，或是您有如上述顶针刮痕的问题，我们建议使用UV Tape。 二、Chipping Chipping大约可分为：(1)Up Side Chipping;(2)Back Side Chipping;(3)Angle Chipping;(4)Crack Chipping。 发生Chipping的原因大致可分为三大因素： （A）刀具因素；（B）Wafer材料的因素；（C）Tape因素。这里主要针对Tape因素加以讨论： 刀具因素 以下条件越容易发生Chipping： 切割速度越快； 刀具主轴转速越快； Dice越小； DI Water喷的越少； Wafer材料的因素 有Passivation的Wafer会比Mirror Wafer较容易发生 Chipping； 较薄的Wafer较容易发生Chipping； Tape因素 Chipping的位置： 一般Chipping发生时应该都会在Dice的同一边，对Dice而言，第4个切割边常是最容易发生Chipping的地方。 AXIS