浅谈半导体二极管 练习题1.doc

半导体二极管 练习题1 一、单选题(每题1分) 1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿ 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 2. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 8. 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（ ） 。 A. B. C. D. 9. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 10. 在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A Uth≈0.525V，IS≈0.05pA B Uth≈0.525V，IS≈0.2pA C Uth≈0.475V，IS≈0.05pA D Uth≈0.475V，IS≈0.2pA 11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID IZ且ID IZM C. IZ ID IZM D. IZ ID IZM 12. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 二、判断题(每题1分) 1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 3. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （ ） 4. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 5. 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 （ ） 6. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 （ ） 7. 二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 （ ） 三、填空题(每题1分) 1. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 2. 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 3. 普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 4. 硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 6. PN结正偏是指P区电位 N区电位。 7. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。 8. 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 9. 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。 10. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 11. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 12. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 13. 半导体稳压管的稳压功能是利