第七章 TEG大功率半导体器件主要参数介绍.pdf

电力电子事业部 TEG 大功率半导体器件主要参数介绍 正向平均电流IF(AV)( 整流管) IF ID 通态平均电流IT(AV)( 晶闸管) 通态 是指在规定的管壳温度 T 时,流过正弦半波电流的 C 平均值。如无其它说明,TEG 提供的是整流管T = 100 I C (Bo) V IH R V oC、晶闸管T = 70 oC 时的平均电流值。TEG 备有各种 D C V (BO) 器件平均电流与壳温关系的活页资料,欢迎索取。 反向 断态 图2 －1 表示晶闸管、整流管的工作区。 IR 图2 －1 伏安特性 正向方均根电流I （ ）( 整流管) F RMS 通态方均根电流I （ ）( 晶闸管) T RMS 是指在规定的管壳温度 T 时,流过电流的有效值。 C 这是考虑到器件内部可能出现的电气和机械应力时规定 的有效电流最大值,即使安装最有效的散 器,亦不应使 IF(RMS)/IT(RMS)超过规定值。 浪涌电流I 整流管 和I 晶闸管 FSM( ) TSM( ) 样本中给出正弦半波 10ms 不重复浪涌电流值。在 IT 确定极限值时,要将许多器件测试到损坏,然后选出一个 ITSM/IFSM 浪涌电流值,使器件在承受该浪涌试验时还有足够的裕 IT(OV)/IF(OV) 度。 试验时采用样本规定的最高允许结温为初始温度, IFRM/I