第十三章 EM636165VE-6中文资料(Etron Technology)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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2017-07-07 发布于湖北
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第十三章 EM636165VE-6中文资料(Etron Technology)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EM636165 1Mega×16同步同步DRAM （（SDRAM））初稿（版本初稿（版本1.8,11/2001））特征特征主要规格主要规格快速存取时间：4.5/5/5/5.5/6.5/7.5 NS EM636165 -5/55/6/7/7L/8/10 快时钟速率：200/183/166/143/125/100兆赫 tCK3 时钟周期时间（分钟） 5/5.5/6/7/7/8/10 ns 自刷新模式：标准型和低功耗 tRAS 行活动时间（最大） 30/32/36/42/42/48/60 ns 完全同步操作 tAC3 从CLK访问时间（最大）4.5/5/5/5.5/5.5/6.5/7.5 ns 内部流水线结构 tRC 行周期时间（分钟） 48/48/54/63/63/72/90 ns 512K×16位×2插槽可编程模式寄存器 - CAS ＃延迟：1,2或3 订购信息订购信息 - 突发长度：1,2,4,8,或整页 1,工作温度：0〜70°C - 突发类型：交错式或线性突发零件号零件号频次频次包裹包裹 - 突发停止功能 EM636165TS/VE-5 200MHz TSOP II ,VFBGA 通过LDQM和UDQM控制单个字节 EM636165TS/VE-55 183MHz TSOP II ,VFBGA 自动刷新和自刷新 EM636165TS